截至2024年11月，韩国出口连续14个月实现增长。但过去四个月增速有所放缓，从8月的10.9%降至11月的仅1.4%。
三星电子从美国获得的补贴金额少于此前确认的英特尔（78.65亿美元）、台积电（66亿美元）和美光（61.65亿美元）的金额。考虑到三星电子的投资计划出现了一些变化，补贴与投资的比例仍然较高。
美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助，这一金额比此前初步交易备忘录（PMT）中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外，CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。
英特尔将要求竞购方在接近1月底前提交正式的竞购方案。当然，在此过程中也可能出现其他竞标者，或者竞标无疾而终。
亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此，三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务，这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。
此次合作将结合南亚科技的10纳米级DRAM创新与PieceMakers在定制DRAM设计方面的专业知识，开发高价值、高性能、低功耗的定制超高带宽内存解决方案。
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闪迪新商标采用极简主义设计，整体以简洁的线条勾勒，象征了闪存技术的速度和效率。其延续了上版商标的开放式 "D" 字母设计，搭配以清新的像素风格 "S"，颜色方面新商标的红比老商标更暖一些。
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从最新公布的招股书来看，背靠多家大客户的铠侠，其三家大客户——苹果、WPI集团、西部数据等业绩贡献占比逾40%。具体来看，在2024年4月1日至2024年9月30日，铠侠半年度营收总计9094亿日元，苹果贡献1893亿日元，占比20.8%；WPI集团贡献1076亿日元，占比11.8%；西部数据贡献994亿日元，占比10.9%。
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值得注意的是，这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM。
据介绍，新设备采用键合头，大大提高了半导体芯片堆叠的生产率和精度。该设备将用于生产下一代HBM，预计将对明年的销售做出重大贡献。
PS1012采用了最新的第五代PCIe*，与基于第四代的产品相比其带宽增大了一倍。因此，数据传输速度可达32GT/s**（千兆传输/秒），顺序读取性能是以前一代规格产品的两倍，可达13GB/s（千兆字节/秒）。
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据韩媒报道，美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会，史无前例的“当日招聘（针对预申请者）”，成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。
受人工智能服务器投资对高带宽内存 (HBM) 需求增加的推动，存储半导体出口额同比增长52%，为79.6亿美元，环比增长7.72%；系统半导体出口额增长1.9%，为39.6亿美元；计算机和外围设备的出口也大幅增长，数据中心服务器使用的固态硬盘 (eSSD) 需求推动出货量增长98.6%，达11.5亿美元。
西部数据向美国证券交易委员会提交文件显示，其闪存业务执行副总裁兼总经理Robert Soderbery将于2025年1月2日正式卸任，结束他在西部数据的任期。
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佰维特存专为应对极端环境设计，打造了TGS20x、TGP20x等系列工规级宽温SSD解决方案，遵循SATAⅢ、PCIe3.0等接口标准，覆盖2.5"、mSATA、M.2 2280/2242等多种规格，适配多样化的工业场景。
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三星电子HBM4E研发进度曝光
上游NAND价格持续上涨令存储厂商加大成本管控力度，多数成品端价格向上突破前高
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价