专家预测,如果在安装TEL演示机后评估结果良好,三星电子的氧化蚀刻设备份额将发生较大变化。据了解,在三星电子3D NAND闪存生产过程中,沟道孔的钻孔工艺将采用TEL混合氧化物刻蚀设备。

美光在会谈上表示,为了量产下一代DRAM、将扩大对广岛工厂的投资;英特尔表示,在后段制程上、将扩大和日本芯片设备商的合作;三星表示将在日本设立后段制程的研发投资中心;应用材料表示,将和日本官民半导体企业Rapidus加强合作;正在熊本县兴建工厂的台积电也表示、将进一步扩大在日本的投资。

为了巩固行业领先地位,美光现已开始向亚洲、美国和欧洲的工业、汽车和消费者客户发货其在广岛制造的基于1-beta 的 LPDDR5X 内存。该产品可为人工智能、智能车辆和虚拟现实提供低功耗和高性能。

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NOR Flash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发,目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供给客户。

项目拟利用中厨大厦改造装修建设eMMC产品线及研发中心。项目计划在2023年三季度建成并进入批量生产阶段,届时公司系列存储模组产能在原大浪工厂产能基础上得以扩充。

与上一代产品相比,三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%,晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现,使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。

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外媒报道,据称,美光科技公司从日本政府获得约2000亿日元的财政补贴,以助其在日本广岛生产最先进的DRAM。

与其常规 DIMM 不同,Crucial 在其 Pro 系列模块中增加了对 AMD EXPO 和 Intel XMP 3.0 的支持。AMD EXPO仅适用于 DDR5 模块,而DDR4 模块支持 Intel XMP 2.0。

小池淳义表示,通常大规模量产先进工艺需要至少1000名工程师,但他们引入了AI和自动化技术,现在有500名工程师了,用一半的资源就能完成。

据韩媒报道,据业内人士透露,三星电子设备解决方案(DS)部门近日以涉嫌泄露包含关键技术的文件为由解雇了工程师A,并要求国家有关部门进行调查。

据日媒报道,据两名参与会议筹备的消息人士透露,日本首相岸田文雄计划18日与台积电、三星等在内的全球半导体公司高层会面,希望这些海外芯片商能够积极赴日投资。

随着6500 ION和XTR固态硬盘的面市,美光现在提供了创新的高容量和高耐用性 NVMe 固态硬盘组合。这种新的SSD组合使数据中心运营商能够通过比以前的技术使用更少的功率来大规模扩展存储、控制成本和提高数据中心的可持续性。

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据三星电子透露,以车载DRAM为基准,LPDDR的占有率增加到55%。消费者和客户端占有率分别为25%和20%。

今后3年期间(2023年度-2025年度)的设备设资额最高将达8,500亿日圆,其中的4,000亿日圆将用于半导体相关事业,对半导体的投资规模将达此前3年间(2020年度-2022年度)的2.3倍水准,将用于扩增IC基板、半导体制造设备用陶瓷零件产能。

作为TLC PCIe SSD 的直接替代品,D5-P5430 可以将典型对象存储解决方案的TCO降低多达 27%,存储密度提高1.5倍,能源成本降低18%。此外,与领先的TLC SSD相比,Solidigm的最新驱动器的写入寿命最多可提高14%。

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