台积电在2024年第二季度的法说会上公布了财务数据和未来展望。第二季度营收环比增长13.6%,主要得益于3纳米和5纳米制程的营收增长。毛利率提升至53.2%,运营利润率提升至42.5%。台积电预计第三季度营收将环比增长9.5%,同比增长32%,并预计全年营收增长略超过中20%。公司还强调了AI相关业务需求的强劲增长,并对未来的产能规划和毛利率进行了展望。

台积电预计第三季度营收将介于224亿至232亿美元之间,有望创下单季营收历史新高。

澜起科技近日在接受机构调研时表示,其三款AI高性能“运力”芯片新产品呈现快速成长态势,第二季度销售收入合计约 1.3 亿元,环比增长显著。

目前已采用RISC-V架构开发了包括半导体IP、SoC和可编程半导体(FPGA)在内的107种芯片,相关软件也变得越来越丰富。

根据投资建议,环球晶圆将在得克萨斯州、密苏里州等地建设工厂,生产300毫米硅晶圆。其中,90%的补贴金额将用于德州12吋厂,密苏里州厂占比较小,补贴金额根据建厂时程表,待政府单位检查确定后才会拨款。

P310系列搭载美光232层3D QLC NAND,群联E27T主控,采用12nm工艺制造,四通道DRAM-less设计,顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。

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作为创新性业务,定制化存储方案发展方向包括定制化存储方案在内的新技术、新业务、新市场和新产品。

据韩媒报道,三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。

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ASML对 2024 年全年的展望保持不变,认为 2024 年是一个过渡年,将继续在产能提升和技术方面进行投资。目前看到人工智能的强劲发展,推动了大部分行业的复苏和增长,领先于其他细分市场。

十铨表示,因消费性市场持续疲弱,需求并未如期回升,虽然合约市场将持续涨价,但现货市场这波涨价潮恐将停滞。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

力积电于法说会上表示,存储产业已回到健康状态,带动存储稼动率在第2季已达9成,第2季起DRAM代工客户需求强劲,NAND Flash需求也强,市场共识价格会逐步往上,力积电存储晶圆产能几乎全开。

对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。

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LLW DRAM是下一代DRAM,通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽(发送和接收数据的路径),可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业,取代现有的LPDDR。

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

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