据媒体报道,美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E存储产品,并透露NVIDIA是该产品的主要客户之一。

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为了保持在人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 硬件领域的领先地位,Nvidia 计划加快新 GPU 架构的开发,并基本上恢复到一年一次的产品推出节奏。

据媒体报道,日本产业技术总合研究所近期宣布成立先进半导体研究中心(SFRC),目标是发展2nm芯片工艺以及3D堆叠等最新半导体技术。

展望后市,法人指出,随先进封装产能吃紧情况逐步舒缓,AI芯片测试需求有望增温,预期公司第四季营收季增个位数百分比。

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德明利与LeadingUI及张美莉投资设立合资公司并将触控资产出售给合资公司,有利于公司进一步集中资源聚焦存储主营业务,提高公司资产运营效率,降低管理成本,提升公司盈利能力。

据韩媒报道,三星电子一位高管表示,目标在2025年推出第六代高带宽内存HBM4芯片,以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。

美光科技宣布推出16Gb DDR5,扩展了其行业领先的1β(1-beta)工艺节点。美光1β制程DDR5 DRAM速度已高达7,200 MT/s,现已向所有数据中心和PC客户发货。美光基于1β制程的DDR内存采用先进的高-k CMOS器件技术,与上一代相比,性能提升高达50%,每瓦性能提高33%。

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佰维基于LPDDR5的uMCP产品集成了LPDDR5和UFS3.1存储芯片,顺序读写速度分别高达2100MB/s、1800MB/s,频率高达6400Mbps,容量高达8GB+256GB。

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据业内人士透露,三星电子正在考虑扩大DDR5生产线。

三星电子今天公布了 2023 年第三季度的盈利预期,预计合并销售额约67万亿韩元,综合营业利润约2.4万亿韩元。

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此外,三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术,以应用于该产品。

根据《企业会计准则》的相关规定,标的公司自 2023 年 10 月 1 日起纳入公司合并报表范围。

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Lexar 雷克沙 NM Card 存储卡支持 eMMC 5.1 协议,读取速度高达 90MB/s,写入速度高达 85MB/s,胜任高速连拍及 1080P 甚至 4K 视频的手机拍摄需求。

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这是在半导体经济衰退导致业绩持续低迷的情况下,针对未来技术融合进行的部分重组。预计未来技术秘书处将成为一个涵盖技术各个方面的组织。

分析师表示,三星削减芯片产量也损害了规模经济,提高了芯片制造成本。

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