近期有消息称,由于最新一代HBM3E(第五代HBM)8层和12层产品通过英伟达质量测试的时间晚于预期,三星电子计划将明年年底HBM的最大产能目标由20万片/月下调至17万片/月,被消减的3万片已改为后期投资。
十铨科技指出,虽然消费性产品终端需求依然疲弱,但看好高端电竞电脑以及生成式AI相关应用设备后市可望迎来成长,将灵活经营策略做好最佳的准备。
募集资金主要投向包括PCIe SSD存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目、信息化系统升级建设项目及补充流动资金。
DRAM产品受地区性经济不景气与地域冲突影响颇深,常规DRAM产品(DDR4/LPDDR4/DDR3)库存去化,需时比预期长,或将于明年上半年才能拨云见日。
今年第一季度,三星电子DS部门经营利润转正至1.91万亿韩元,但不及SK海力士的2.89万亿韩元,这也是其市况最佳的2018年以来同期第二高。
据CFM闪存市场最新报价,由于下游需求疲软近期NAND Flash Wafer价格下跌,其中,1Tb QLC 跌 8.62% 至 $5.30,1Tb TLC 跌 5.97% 至 $6.30,512Gb TLC 跌 8.11% 至 $3.40,256Gb TLC价格保持平稳。
韩国9月半导体出口额为136亿美元,同比大增37.1%,连续11个月保持增势,且时隔三个月再创新高,打消了“半导体寒冬”的担忧。
适逢国庆假期,按国家规定放假7天,即10月1-7日放假,放假期间暂停所有产品报价,10月8日(星期二)恢复所有产品报价。9月29日、10月12日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。
三星12层HBM3E芯片也已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。
据韩国业内人士称,三星电子已订购可将HBM所需DRAM芯片质量分为最多三个级别的设备(分选机),这是半导体行业首次尝试在制作HBM之前检查和划分DRAM。
今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。
最新消息称,铠侠IPO上市时间已由此前规划的10月向后推延至11月以后,主因近期全球半导体类股表现疲弱,股价出现较大幅度下跌,铠侠研判上市时的市值将无法达到所设定的1.5万亿日圆的目标。
据证监会网站显示,武汉新芯IPO辅导状态已于近日变更为“辅导验收”。这表明武汉新芯已完成了必要的准备工作,正朝着IPO的目标稳步前进。
十铨表示,本次合作首波以专为电影创作者而生的T-CREATE系列为始,包含CinemaPr P31移动外接式SSD及DRAM与SSD产品线作为攻占市场战力。
在DRAM制程方面,不同于DDR4/LPDDR4/4X普遍采用1y/1z nm等制程,DDR5/LPDDR5X/HBM3E需要采用更加先进的1a/1b nm制程以提高性能和单位容量。目前,三星电子和SK海力士均在积极推进1b DRAM先进制程的增产工作。