美光科技第二财季财报超出华尔街预期,惟日本311强震后产业供应链受到干扰,美光正试图确保硅晶圆供应无虞,并表示目前评估日本震灾对其事业的影响仍然言之过早。

晶圆代工厂「全球晶圆(GlobalFoundries)」今年预计投入54亿美元资本支出,除了要扩增位于德国12寸厂先进制程产能,也希望28纳米高介电金属闸极(HKMG)技术能够顺利在今年下半年就可开始量产。全球晶圆执行长Doug Grose表示,今年营收力

三星电子(Samsung Electronics)23日表示,拜智能型手机、平板热卖之赐,今年旗下系统整合芯片(system LSI)销售额可望成长43%。日本经济新闻今年1月报导,据东芝关系人士表示,东芝在去(2010)年时就同时将三星电子及GF并列为先

日本地震后对电子产业链的影响,仍是市场密切观察重点,日前英国任天堂(Nintendo UK)宣布3DS裸眼掌上型游乐器如期在25日举行首卖会,同时目前预购量已是Wii游戏机2006年预购量1倍以上,呼应日前旺宏董事长吴敏求表示,任天堂3DS在欧美上市进度如

美光2011会计年度第2季营收持平于前季的23亿美元,并高于去年同期的20亿美元,净利7200万美元,每股盈余0.07美元,优于原先市场预期12-2月营收20.7亿美元、每股获利0.03美元。逊于前季的1.55亿美元(每股盈余0.15美元)与去年同期的3.

不仅存储产业受到影响,相关产业受日本地震也相当大。整体而言,日本地震对电子产业所使用的许多上游原材料和关键零组件的冲击较大;此外,后期运输问题和供应短缺问题也将给下游产品的出货带来了不便。

据本周数据显示,Samsung 32Gb~64Gb MLC型品牌产品本周价格跌幅相对较大,64Gb从USD 18下跌至USD 16.8,下跌6.7%左右。32Gb从USD 11.3下跌至USD 10.6,下跌6%左右。其他容量产品价格跌幅平均在1~2%之间

大陆春节长假过后,记忆卡及随身碟传统销售淡季效应持续,商家由于将库存控制在一定水位,所以市场购买力度不强,市场成交较为零星,市场需求表现不大。

2月上旬 NAND Flash 市场受中国农历年长假,及节后一些下游客户仍在盘点库存的影响,故合约价大致呈现持平的状况;现货市场需求农历年节后需求表现比较疲软,NAND Flash MLC产品价格呈下滑走势,主要是16Gb~64Gb容量产品价格。

本周(2011-01-10-17)NAND Flash现货市场需求未见浮现,商家微幅调整价格,整体闪存产品价格呈稳中偏软走势,下滑幅度较弱。

本周(2011-01-03-08)NAND Flash现货市场价格表现主要集中在高容量产品上,低容量价格表现比较平淡。

NAND Flash市场进入2010年底后非常不平静,东芝跳电事件逆转整个NAND Flash市场供需,市场对于未来1季的NAND Flash价格走势开始有所期待,加上众家品牌大厂相争推出平板计算机,预计会成为消化NAND Flash产能最主要的应用。

本周(1220-1224)NAND Flash现货市场部分价格仍然呈上扬走势,个别产品价格开始下滑,价格波动的产品仍然是16Gb~64Gb容量,本周价格涨幅较弱,平均涨幅在1~2%左右,市场需求也表现在16Gb~64Gb容量上,低容量产品受到供货减少的影响

本周(1213-17)受到NAND Flash大厂东芝(Toshiba)上周断电事件的影响,使得NAND Flash报价开始止跌反弹,上扬幅度颇大,NAND Flash价格上扬将有助于各厂12月营收的改善。

本周(1206-1210)NAND Flash现货价开始呈稳定偏软走势,价格波动的产品相对减少,价格波动幅度也相对减弱。闪存卡价格走势也是如此,前期价格走势相对疲软,周四闻讯东芝跳电事件之后,激励价格呈上扬走势,上扬幅度较大。

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西部数据 USD 245.250 -5.32%
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世迈科技 USD 18.260 -3.79%
朗科科技 CNY 38.61 +7.64%
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日月光 TWD 342.0 -3.25%
通富微电 CNY 47.93 -1.86%
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