消息称铠侠拟以升级版NAND替代部分DRAM,实现内存容量和性能显著提高

存储器 网络 M 2026-09-04 17:19

据媒体报道,铠侠近日举行了存储相关技术说明会,计划借由加深和美国科技大厂的合作关系,应对来自中国厂商日益激烈的竞争。铠侠负责存储技术的松寺胜树表示,NAND Flash需求正以前所未见的速度增长。

报道称,铠侠介绍了专为人工智能工作负载设计的CXL模组,该模组可提升NAND处理速度,接下来将开始接受客户的效能评估。

AI服务器搭载多种类型的存储产品。 DRAM用于临时数据存储,其数据读取速度比NAND快,并与CPU搭配,负责计算处理。不过DRAM的容量不易扩充,难以满足日益增长的AI需求,且价格比NAND闪存更高,成为AI数据中心加速普及的瓶颈。

报道指出,铠侠计划通过CXL模组提高NAND闪存的处理速度,取代部分DRAM。CXL模组能将高速NAND闪存和控制器组件相结合,将数据读取时间缩短至传统产品的1/10以下,且凭借其更快的数据读取速度,性能更加接近DRAM。据铠侠指出,若以CXL模组替换系统中部分DRAM,内存容量将翻倍、性能将提升30%。

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