AMD最新存储底牌揭晓,三星“HBM+RDIMM”双线赋能Helios

存储器 网络 M 2026-07-24 15:03

据韩媒报道,三星电子准备大规模供应高带宽内存(HBM)给 AMD 的下一代AI平台Helios,且双方通过AI内存“协同设计”合作,实现了业界领先的第六代 HBM(HBM4)性能。

二十年合作持续加码,锁定下一代AI基础设施

三星电子半导体(DS)部门常务Bart Walker在AMD Advancing AI 2026活动上,介绍了三星与AMD的合作情况。双方合作最早可追溯至2007年,三星为AMD Radeon HD 2000系列显卡供应GDDR4显存。此后合作范围从持续扩大,包括14nm FinFET工艺,涵盖服务器固态硬盘和DRAM的Radeon IP,SmartSSD,业界首款CXL DRAM和基于AMD RDNA3架构的Exynos 2400处理器的联合开发等方面的合作。2025年,三星12层堆叠的HBM3E被应用于AMD的AI加速器Instinct MI350系列。

今年3月,AMD CEO苏姿丰到访三星平泽园区,双方签署了下一代AI内存解决方案的战略合作协议,进一步确立三星作为AMD 核心内存供应商的定位,依托深度协同匹配AI算力发展需求。

“Helios”搭载三星HBM和RDIMM,性能与能效全面升级

AMD CEO苏姿丰在AMD Advancing AI 2026上,正式发布了其首个机架式AI系统Helios。Helios集成了AMD最新一代的AI加速器Instinct MI455X GPU和第六代“Venice” EPYC CPU。在一个Helios机架中,最多可集成72个MI455X单元,HBM4总容量可达31TB,内存带宽可达1.7PB/s。换句话说,芯片级的内存性能提升可以扩展到机架级。

三星电子高级工程师James Ahn介绍,三星电子的HBM4将应用于AMD最新的AI加速器Instinct MI455X和Helios平台。其架构是:Instinct GPU系列采用HBM4和HBM3E,服务器CPU EPYC系列采用RDIMM DRAM模块,而Helios平台则同时采用RDIMM和HBM4。

据悉,最新的HBM4采用12层堆叠结构,单芯片容量高达432GB,带宽高达23.3TB/s。HBM4的I/O引脚数量较现有的HBM3和HBM3E翻倍,并采用了三星4nm FinFET工艺的基底芯片以提高电源效率。相较于现有的平面结构,带宽提升超200%,面积减少70%,功耗降低50%。

此外,三星为Helios平台支持的下一代EPYC CPU提供DRAM模块(RDIMM)。三星采用12nm工艺开发了业界首款32Gb DDR5内存。与现有的6.4Gbps RDIMM相比,该产品的性能提升了1.25倍,速度高达8.0Gbps。存储容量基于32Gb硅通孔(TSV)技术最高可支持256GB,相较于现有的32Gb单裸片方案实现了翻倍扩容。与基于32Gb 2Rx4 6.4Gbps的16Gb 2H相比,功耗降低了15%。

瞄准HBM4E持续研发,长期布局AI算力存储需求

AMD和三星电子一直在合作提升内存容量和带宽,双方的合作关系将在下一代产品HBM4E(第七代HBM)阶段进一步加强。据悉,HBM4E正在研发中。据悉,下一代产品HBM4E采用32Gb单核芯片,预计单堆叠最大容量可达64GB,单引脚最大传输速度可达16Gbps,单堆叠带宽可达4TB,同时支持16层堆叠。与HBM4相比,性能提升20%,能效提升16%,可扩展性提升14%。

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