据媒体报道,长鑫存储正在为DDR6提前布局供应链,已引入新的封装基板及导线架供应商海成DS(Haesung DS),考虑改用可支持多层设计的面板级制程,以取代DDR4、DDR5使用的卷对卷生产方式,应对DDR6多层设计的更高要求。
据悉,海成DS已于今年第一季度通过了长鑫存储的DDR5封装基板质量测试。预计首批供货量将于第二季度开始计入营收,到2027年,供货规模将显著扩大。到DDR6阶段,海成DS预计将开始采用全新的面板级制程,协助维持生产效率并避免技术瓶颈。
进度方面,长鑫的LPDDR6芯片已进入送样阶段。理论上,现有的卷对卷工艺也能用于DDR6制造,但随着电路层数增加,其获利能力和生产效率也会下降,因此面板级制程成为更稳健的选择。长鑫存储正推动采用面板级生产方法,为DDR6的量产提前做准备。报道称,长鑫LPDDR6有望在2026年下半年实现全球首发量产,速率达12.8Gbps,直接对标三星和SK海力士的旗舰产品。

