英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术,该方案旨在成为替代HBM4的方案,有望以更低成本提供更高的带宽。
XBM全称扩展带宽内存,属于DRAM内存方案,其封装尺寸将与HBM4保持一致,每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间,搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。
XBM最核心的突破在于制造工艺的迁移:传统DRAM的存储单元制作于前段制程(FEOL),也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底;而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程(BEOL),布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域,并采用薄膜晶体管工艺。
值得注意的是,该专利的侧重点不在于存储单元本身,而在于定制化封装方案:英特尔推出封装集成内存(MoP)与反向悬垂结构,优化Z轴堆叠高度。传统MoP会增加300-350微米厚度,新结构可降低堆叠高度,取消防翘曲加固筋,由电压调节器直接为DRAM供电,实现更小体积、更低成本的封装形态。
据悉,XBM技术的商业化时间预计将在2030年之后。

