消息称三星、SK海力士Q2同步加码尖端NAND投资

厂商动态 网络 QIN 2026-02-04 09:57

据韩媒ZDNetKorea报道,为应对人工智能发展带来的快速增长存储需求,全球存储巨头三星电子与SK海力士计划于今年第二季度同步推进最先进NAND闪存的“转换投资”。

根据报道,三星电子其已于2024年9月开始量产280层第九代(V9)NAND闪存,但由于市场需求不足,目前仅在其韩国平泽园区维持着一条小规模量产线,月产能约1.5万片晶圆,规模有限。为加速提升先进制程产能,三星电子将重点对其中国西安的X2产线进行改造升级,将其从生产第6-7代NAND转换为生产280层V9 NAND,目标使月产能增加4至5万片晶圆。同时,平泽P1园区也在筹备进一步的产能提升。

报道称,SK海力士同样计划在第二季度启动针对321层第九代NAND的产能扩张。其投资将主要集中于韩国清州的M15工厂,目标是通过建设新的生产线,将V9 NAND的月产能从目前的约2万片晶圆提升至约3万片。

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