DRAM价再崩盘 台厂亏损阴影一路到明年

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-11-15 08:30
2Gb DDR3芯片大举杀出,导致DRAM现货价和合约价持续崩盘,由于价格跌幅又急又深,已威胁到DRAM厂的财务状况,尔必达(Elpida)宣布二度减产,但仍是无济于事;DRAM厂认为,现在DRAM价格是用60奈米生产的业者赔钱、50奈米的业者打平、40和30奈米业者才能赚钱;台湾DRAM厂2010年第4季到2010年第1季恐怕都与获利无缘,唯一有机会力拼持续获利的是瑞晶。
DRAM价格持续大跌,2Gb DDR3芯片产能大增因此跌幅最深,1Gb DDR3则是货源越来越少,因此不会自相残杀太严重,顶多跟在2Gb DDR3芯片之后跌价,而DDR2芯片的生产厂商已相当少,因此价格相对较平稳。
目前1Gb DDR3报价约1.3~1.4美元,2Gb DDR3报价约在2.5美元左右,市场对于后市报价,几乎都看到1Gb DDR3报价跌到1美元,2Gb DDR3报价跌到2美元。
以63奈米生产的业者只能做1Gb DDR3芯片,没有2Gb DDR3芯片,而1Gb DDR3芯片成本约1.3~1.4美元,目前的市价已逼近成本价,只要价格再跌,日系阵营的业者将面临亏损压力。
以50奈米生产的业者以美光(Micron)阵营为主,包括南亚科和华亚科,其2Gb DDR3芯片成本在2.5美元上下,目前市面报价已来到成本区,业者要积极以提升良率因,以40和30奈米制程生产的业者才有机会赚钱,以三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)为主,其2Gb DDR3芯片成本可压低至1.5美元以下,制程领先其他同业1~2世代。
以台系DRAM厂来看,市场对于2010年第4季底前DRAM报价止稳都不乐观,因此台厂第4季全数陷入亏损的机率相当高,有机会幸免于难的是瑞晶,瑞晶目前转进尔必达45奈米制程的速度最快,预计年底前至少完成50%转换,加上瑞晶45奈米的良率提升顺利,有机会拼一拼。
虽然尔必达宣布要减产,但对于市场激励成效似乎有限,在尔必达减产的同时,美光阵营几乎持续增产;除了华亚科12吋晶圆厂产能持续增加投片量,预计13万片在2010年底前会全数转进50奈米。
南亚科旗下12吋晶圆厂2010年也持续再扩产,从原本3.6万片提升至目前约5万片,2010年第1季会提升至6万片;且华亚科和南亚科的产能几乎会以2Gb DDR3芯片为主,因此2Gb DDR3芯片价格跌幅会较深,而1Gb DDR3芯片价格也会被带下来。
 

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多