南韩内存大厂海力士(Hynix)28日公布的第3季财报报佳音,交出税后获利1.06兆韩元(约新台币290亿元)的好成绩单,优于市场预期,而在台系内存厂财报接力赛中,华邦今(29日)将接下法说闭幕赛,市场预期本业和业外获利皆美下,前3季每股获利可望逼近1元;整体来看,内存产业虽然未完全脱离谷底,但在利空出尽下,市场共识是2011年第1季开始,内存市况可望开始好转。
面对第3季内存价格跌跌不休,海力士第3季财报仍是优于市场预期,营业利益达1.01兆韩元(8.849亿美元),较2009年同期2,090亿韩元大幅成长近5倍,同时也与上季1.05兆韩元不相上下;再者,海力士也释出DRAM价格可望提前在2011年初反弹的说法。
海力士第3季DRAM平均销价较第2季下跌9%,但出货量则是成长2%;NAND Flash平均单价则下跌23%,出货量则是成长42%;此外,海力士也极力扩大个人计算机(PC)以外内存产品线的比重,增加服务器、显示适配器、手机相关产品线的内存比重。
在制程技术方面,海力士和龙头厂三星电子(Samsung Electronics)一样,DRAM技术转进40奈米级制程的速度领先美、日、台阵营,第3季末40奈米级制程比重已达30%,预计到2010年底可达至50%水平。
台系DRAM厂也认为,三星和海力士第三季在40奈米制程世代的良率提升速度,的确较外界预期的快,因此两大厂成本竞争力提升;在台厂方面南亚科和华亚科也准备大量转进42奈米,尔必达(Elpida)积极转进45奈米,而相关台系业者中,瑞晶转进45奈米的速度最快。
除了海力士的财报稍来好消息外,台系内存厂的法说接力赛也将在今日交棒华邦,虽然NOR Flash产业下半年转成供过于求之后,价格开始松动,但市场预期华邦在产品线多元化,以及转投资新唐的处分业外获利下,前3季每股获利可望逼近1元。
在华邦4条产品线NOR Flash、利基型内存(SDRAM)、Mobile RAM、绘图卡内存(GDDR)中,表现最好的会是Mobile RAM产品,主要还是受惠手机的需求持续热络,其他则表现次之。
以整体内存市场来看,虽然价格还没有大幅反弹的条件,但利空都消化的差不多,目前各界看法都认为景气可望在2011年第1季开始反转向上,因此前阵子的跌价消息告一段落后,都以利空出尽来解读第3季市况。