DRAM厂力晶昨(20)日董事会,通过明年资本支出暂定为160亿元,比今年的200亿元减少约两成,将用以提升40奈米世代制程。
配合资金需求,力晶董事会也决议将重新申请发行海外存托凭证(GDR)。力晶先前提出发行上限8亿股GDR,遭主管机关退件。力晶表示,这次重新申请额度仍维持上限8亿股。
力晶是第一家公布明年资本支出的本土DRAM厂。力晶董事长黄崇仁表示,今年资本支出已陆续添购45奈米所需的浸润式机台等设备,明年160亿元规划,除持续添购浸润式机台外,还会买一些接口设备。
由于今年已投入大部分资金买设备,力晶明年资本支出更为精简,未来并打算将部分既有机台出售给设备商,再采「售后租回」方式,达成资产活化运用,增加现金流量。
力晶第三季持续获利,不加计子公子瑞晶转投资收益下,单季毛利与毛利率分别为43.42亿元与17.35%,营业净利率12.89%。税后纯益19.36亿元,每股纯益0.34元。前三季税后纯益122.39亿元,每股纯益2.22元。
力晶现在12吋晶圆月产能为13万片,分为标准型内存与代工两大业务。力晶规划要把当中8万片拿来生产标准型内存,其余5万片做代工,并逐步将代工比重增加到四成,是日后重要收益来源。
至于GDR募资案的部份,力晶先前提出发行上限8亿股GDR,遭主管机关退件,力晶表示,这次重新申请额度仍维持上限8亿股,希望可以争取顺利通过。
另外,南科(2408)、华亚科(3474)今年资本支出分别为300亿元、580亿元,两家公司也表示,2011年度所需的资本支出将会较今年度明显减少。不过,南科仍有资金需求,将办理现金增资,预计募集99亿元;华亚科则表示,目前现金部位充裕,并不需要进行募资计划,接下来将全部冲刺堆叠式制程。