DRAM价格尚未落底 Q4恐续跌10-20%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-10-21 08:24
南亚科技(2408-TW)第3季每股亏损0.66元,发言人白培霖今(20)日对DRAM价格仍不乐观,认为价格尚未落底,第4季仍有下滑1-2成的可能。
南科今日举行法说会,并公布第3季财报,单季营收149.16亿元,季减5%,年增30%,累计今年前3季营收447.54亿元,年增74%;在损益部分,单季营业净损3.89亿元,税后净损22.66亿元,每股亏损0.66元。
白培霖指出,由于全球PC市场需求不如预期,导致第3季DRAM销售价格走跌,价格季减15%之多,以致于南科第3季DRAM出货量虽季增14%,但第3季仍呈现亏损状态,而新台币近期升值的趋势下,也拖累南科营收约1%;在位成长率部分,南科则力保季增14%的表现,但在全年将花费300亿元资本支出之下,技术转换难度却高于预期,使原本预期的产能未开出,而难敌亏损状态。
白培霖指出,原先预期今年在企业换机潮的效应之下,将可带动DRAM产量有大幅度成长,但目前看来,虽然企业换机潮仍持续,但皆属平缓换机的态势,再加上消费型客户需求明显下降,导致PC库存仍在高水位,连带影响DRAM销售,预期年底前各PC厂商仍处于消化库存的阶段,难有DRAM大单需求。
而对于DRAM价格趋势,白培霖认为DRAM价格尚未落底,预期第4季价格仍将跌10-20%,但10月开始跌势可望趋缓。
白培霖表示,南科与美光共同研发的42nm制程技术已在7月成功试产,良率优于预期,也在10月开始量产;受惠于42nm每片晶圆的良晶粒数可望多出50%,晶粒制造成本也可降低30%,目前用以生产标准型DRAM产品为主。
而在50nm制程部分,白培霖指出,第3季南科50nm投片量提高,多数以2Gb DDR3芯片生产,目前消费性电子用途DRAM与行动式内存皆以50nm为主流制程技术,在积极进行先进制程转换之下,朝向产品多角化经营。
对于南科自有12吋晶圆厂,白培霖表示,10月产能已达4.8万片,预期年底投片量可达5万片目标,2011年第1季则计划达到单月产能6万片的满载目标,以期进一步降低成本结构。
白培霖下修南科今年全年位成长率至25%,认为南科第4季两大成长动能为技术转换与新产品量产,而2011年在资本支出较低之下,新产能较少,预期供需之间应可较为平衡,希望在需求回温之下带动成长;而南科已计划办理6亿股现增规划,以因应42nm制程技术导入中,购置机台设备,扩充产能至6万片的需求。

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