DRAM厂3Q营收好坏不一 4Q营运偏向保守

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-10-11 08:26
DRAM厂第3季营收在尔必达(Elpida)和美光(Micron) 2大阵营中,表现略有不同,属于尔必达阵营中的力晶、瑞晶和茂德受惠转进63奈米制程效应,成功抵御DRAM报价下跌冲击,第3季营收都呈现成长趋势,而美光阵营中的南亚科和华亚科第3季仍处于制程转换期,因此在产出减少下,单季营收呈现衰退;模块厂方面,创见第3季营收表现中是一枝独秀,主要是受惠NAND Flash产品的贡献。
然对于第4季DRAM产业景气和营收走势,业者看法多是偏向悲观,主要是因为DRAM报价在年底前没有大幅成长的诱因,只能力求制程微缩带动产出增加,像是第3季表现不如预期的南亚科和华亚科,第3季50奈米大量转换成功下,可望力拼营收成长。
第3季DRAM报价相当弱势,主要是受到个人计算机(PC)旺季不旺影响,且2010年DRAM业者引颈期盼的换机潮也没有出现,欧美市场经济景气不如预期,导致第3季DRAM报价呈现崩跌走势,但因为台系5家DRAM厂也积极转换制程,抵御报价下滑冲击,因此第3季营收成绩单也呈现差异。
在尔必达阵营中,包含力晶、瑞晶和茂德第3季营收都呈现成长,主要是受惠此阵营业者都大量从尔必达的65奈米转换至63奈米制程,每片晶圆产出可增加20%,在DRAM报价下滑但产出增加下,第3季营收都力守成长趋势。
尔必达阵营中,成长幅度最大的是茂德,因为茂德几乎是从第3季才开始正式大量转进63奈米制程,因此受益程度较大;瑞晶除了转进63奈米制程之外,也极力再转进45奈米制程。
美光阵营方面,南亚科和华亚科第3季营收都较上季呈现衰退,主要是处于转进50奈米尴尬期,其中华亚科7、8月终止沟槽式(Trench)技术的投片,全部转投50奈米推迭式(Stack)技术,当月产能利用率是全年低点。
南亚科和华亚科第4季50奈米制程会大量产出,虽然市场对于第4季DRAM产业景气不乐观,但在制程微缩带动产出大量增加下,此2家公司力求第4季营收可逆势成长。
内存模块厂方面,第3季表现最佳者为创见,第3季营收为81.69亿元,较第2季66.7亿元大幅成长22.47%,主要是受惠NAND Flash相关产品如快闪记忆卡、手机用小型记忆卡、随身碟等出货量成长的挹注。
展望第4季,上下游对于DRAM报价看法都是一路跌到年底,即使有小反弹也会是昙花一现,没有大波段回升的机会,主要是因为PC市场进入产业传统淡季,更糟的是供给端大量产能出现,虽然不是新投片产出,但都是制程转换产生的产能。
其中包括华亚科13万片12吋产能都转进50奈米制程,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)的46奈米和44奈米良率提升带动产出增加等,市场对第4季DRAM报价看法都偏向保守。
NAND Flash报价方面,下游模块厂看好10月会有一波小反弹,主要是受惠于大陆十一长假结束后的补货需求,但整个第4季来看,将进入产业淡季,且预期全球NAND Flash产能最大消耗者苹果(Apple)也将放缓拉货速度,因此预期11月之后NAND Flash报价将再度走弱。
 

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多