南科、华亚科 年增上看150%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-08-31 08:32
根据最新研究报告指出,受到制程转进、产能提升两大因素激励,台系DRAM厂在DRAM景气回升中,力求加强产业竞争力,台塑集团的南科(2408)以及华亚科(3474)明年产出可能大幅成长年增率150%,产出成长率居全球之冠;若以品牌销售来看,预测,南科也可望成为台厂之首。力晶(5346)、瑞晶(4932)、茂德(5387)与尔必达合作在未来更为密切。
台湾DRAM产能于2008年底月投片量达53万片,占全球DRAM投片量35%,成为全球12吋DRAM厂密度最高的国家。但在2007-2009年严重的供需失衡下,台系DRAM厂也承受极大的财务亏损压力。
韩系厂商在今年第2季营收排名的市占率已经高达55.3%,比2008年第4季金融风暴时期的45.5%,成长近10个百分点。而台系DRAM厂也在今年DRAM景气回升中,力求加强产业竞争力,各公司纷纷展开策略布局。
在台系DRAM厂中,华邦电(2344)正积极退出标准型DRAM生产,加强NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(绘图用记忆体)及SDRAM(利基型记忆体)等四项产品线,在NOR FLASH市场短缺下,华邦成功调整产品线,确保生产获利率稳定并持续提升,同时华邦决定以奇梦达所开发的46nm为基础,自主研发46nm,于2011年底量产。
在尔必达联台抗韩策略下,力晶、瑞晶与茂德与尔必达合作在未来更为密切,将加速制程转进,降低单项产品价格波动风险。
力晶的产品线策略,采取标准型DRAM、代工与Flash三者并进的经营模式,并于今年底导入DRAM 45nm制程,加上瑞晶产能贡献三成,产出及营收可望持续成长。代工也继续以每月三万片至四万片的投片与客户合作并计画明年将65nm制程导入代工生产,Flash方面明年则将有50nm制程1Gb SLC及40nm制程的MLC 16Gb产出。
瑞晶成为尔必达的子公司后,在母公司的策略规划下将成为尔必达的生产标准型DRAM的重镇,预计今年底可有6台浸润式机台移入,并计划于明年首季底全数转入45奈米制程。
台系DRAM厂中,南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素,使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月产能从 3.6万片提升至5万片,明年上半年可达6万片;华亚科也由今年平圴月产能不及10万片,提升至满载产能13万片,同时南科与华亚科皆在今年下半年加速 50奈米制程,及明年转进42奈米,预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠,以品牌销售颗料计,南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。
至于在茂德方面,目前中科厂已经恢复至满载6万片,今年底投片3万片是帮尔必达代工63奈米制程,加上未来尔必达考虑将低容量的Mobile DRAM委外交给茂德,以后茂德将有一半以上的产能以代工性质为主。

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