力晶(5346)在制程上采用63奈米跳攻45奈米制程,投资额仅130亿元,优于美光阵营的1,018亿元,在严守财务纪律的战略思考下,力晶 2012年前不会扩建新厂,DRAM以现有产能为后盾,其余资源将多数投入行动通讯NAND,可望与三星、英特尔并列为拥有正统NAND技术的厂商。
力晶的NAND也即将出现爆发力,力晶总经理王其国说,力晶在承接瑞萨(Renesas)的技术之后,从2008年投入NAND研发,不包含90奈米以下的技转费,力晶已经投资超过70亿元于研发。
NAND领先DRAM技术约2个世代,为最先进技术,力晶在immersion(浸润式机台)已经用了4年,该学会的都学会了,目前已跨入2x奈米研发,小量试产40奈米16Gb MLC。由于iPhone带动NAND需求,智能型手机2012年将达5.04亿支规模,力晶会把握这3年的爆发期,锁定行动通讯领域,投入1.8V低电压、低功耗技术。
力晶董事长黄崇仁表示,力晶未来不希望再借钱,而是严守财务纪律,力晶的45奈米制程在资金、技术上都不是问题,而是immersion 交不出货,预估45奈米只会落后瑞晶一个世代,且平均每1万片的投资成本仅16.3亿元,优于友厂的73亿元及54亿元,整体投资额仅130亿元,也优于友厂54奈米制程合计达1,018亿元投资额。因此,2012年之前,力晶不会兴建新厂,以制程升级也足以因应市场需求。
力晶2010年资本支出达120亿元,其中33%用于45奈米制程升级,其余投入63奈米制程升级,今年第4季会有第一台immersion机台进厂,转型之后将以改善ROE(股东权益报酬)、ROI(投资报酬)为经营策略。