近来纷纷看衰国内DRAMT厂未来表现,力晶(5346)董事长黄崇仁6日表示,并不同意分析师对于DRAM产业的看法,其实最大的问题还是在于需求,尤其近年来DRAM产业已无新厂投入,接下来DRAM颗粒产能增加的幅度相当有限,供过于求问题无须过度忧心。另外,他也认为,今年第四季DRAM价格不会有崩盘的疑虑,DDR3 1Gb将会在2-2.5美元区间波动。
近来DRAM现货价格走势疲软,DDR3 1Gb不但跌破2.5美元,甚至也有分析师认为,今年底将下探至2美元。黄崇仁也表示,第四季受淡季影响,11、12月价格稍微下滑也是合理的,预料下半年DRAM价格波动幅度将在正负10%,DDR3 1Gb将会在2-2.5美元之间波动,不过,当DDR3 2Gb成为主流之后,DDR3 1Gb的价格一定会跌破2美元。
另外,也有市场担心第四季DRAM供应量将会大举涌出,对此,黄崇仁则说,其实第四季主要问题是需求是否会转弱,DRAM增加的幅度并不会太多,现在对供应面的状态非常有把握,不过需求面则必须还要再观察。
就力晶营运状态而言,黄崇仁表示,目前本身除了拥有8万片标准型DRAM的月产能,还依照转投资持股比例,掌握瑞晶(4932)3万片的月产能;同时另有4万片以代工为主的月产能,也使力晶为全球最大内存代工厂,目前主要代工产品包括消费性电子用DRAM、NOR Flash以及LCD驱动IC,包括硅成、晶豪科、力积、钰创都是由力晶100%供应。
黄崇仁表示,现在的产能已经达到满载,接下来会透过微缩提升制程,增加产出,除非要进入38奈米才需要建置新厂,因此预料至2012年底前,力晶将不会有任何新厂兴建的计划,尤其38奈米的制程开发相当耗费资金,所以力晶将会与瑞晶、尔必达携手合作,而尔必达接下来也将会把所有资源投注在瑞晶身上。
另外,力晶也自己投入NAND Flash制程技术研发,力晶总经理王其国表示,早在6年前,力晶即提出TFC(Taiwan Flash Corporation)研发计划,到了2008年开始量产,现在主要采用70奈米制程,同时也正式以40奈米制程试产16 Gb MLC NAND Flash,为国内最先进技术,此外2x奈米已着手进行开发,引进移动式技术,将会发展手机等行动应用利基型NAND Flash。