ASML CEO傅恪礼近日正式宣布，首批采用新一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机制造的芯片产品将在未来数月内问世，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。英特尔积极采购High-NA EUV光刻机，并已在波特兰工厂完成两台High-NA EUV光刻机的安装，累计处理超过3万片晶圆，目标在2027至2028年实现14A制程大规模量产。SK海力士也明确表示计划采用该新技术，预计今年首次导入，用于下一代DRAM内存的生产。

据韩媒Herald经济援引业内人士消息称，SK海力士上周开始拆除位于其清州园区的C1光罩厂。据悉，SK海力士已开始对其位于清州园区的光罩厂进行改造，将其改建为晶圆测试工艺技术研发中心。目前改造工程正在进行中，目标是最早今年12月或最迟明年2月投入运营，此举似乎旨在提高高带宽存储器（HBM）的良率。然而，SK海力士相关人士当天对此回应表示此事难以核实。

继昨晚晚间三星电子与工会达成初步协议之后，今日早盘三星电子、SK海力士股价集体高开，截至发稿，三星电子、SK海力士股价涨幅分别扩大至7%、11%以上。

5月18日早间，日韩股市开盘直线跳水。韩国KOSPI指数一度大跌超4%，日经225指数一度跌近1%。KOSPI 200期货大跌5%后，韩国交易所启动KOSPI熔断机制，程序化交易暂停5分钟。截至发稿，韩国KOSPI综指、日经225指数跌超1%，SK海力士跌0.11%，三星电子涨超2%。

据韩媒ZDNet援引业内人士消息称，SK海力士正在与英特尔合作开展2.5D封装技术的研究与开发。据悉，SK海力士正在考虑采用英特尔的2.5D封装技术“嵌入式多芯片互连桥（EMIB），目前正在进行测试，以将HBM和系统半导体与英特尔提供的EMIB嵌入式基板结合使用。

今日存储芯片概念大面积高开，截至发稿，江波龙股价涨超9%，德明利、佰维存储涨超4%，大普微涨超5%，消息面上，周一早盘，SK海力士股价一度上涨超8%，三星电子股价一度上涨超5%，均刷新历史新高。

存储芯片股集体走强开盘大涨，截至发稿，江波龙涨17%，佰维涨超13%，德明利、大普微均涨停。消息面上，5月4日，韩国权重科技股SK海力士大涨12.52%，创下历史最高收盘价。此外，美股存储芯片股闪迪、希捷科技、美光科技均创历史新高。

据亚洲日报报道，SK海力士在TSMC主办的技术活动中，重点介绍了AI时代的核心组件HBM4，强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化，计划在2026年量产HBM4。两家公司在部件供应和定制HBM市场多方面展开战略合作。SK海力士计划结合台积电的“CoWoS”技术和自身HBM技术，提供符合全球大科技公司需求的解决方案。

SK海力士HBM4E核心芯片计划采用1c纳米制程，其良率和量产能力已达到成熟阶段。预计在今年下半年提供HBM4E样品，以2027年实现量产为目标。

对于地缘冲突对产能的影响，SK海力士表示公司已实现原材料供应商多元化，并已确保充足的库存，因此实际影响非常有限。