三星成立专门工作组提高1b DRAM良率，并将大幅扩大产能

据韩媒报道，业界估计三星第五代10nm级（1b）制程DRAM良率尚未达到业界80%~90%的目标良率，三星电子存储部门已于上个月成立专门工作小组，以提高1b DRAM良率及产能。

三星于去年5月宣布第五代10nm级（1b）制程16Gb DDR5开始量产，随后于9月宣布第五代10nm级（1b）制程的32Gb DDR5开发成功。三星电子计划未来推出32Gb 1b DRAM作为其主要产品，这是因为该产品不仅采用与16Gb 产品相同的封装尺寸，而且128GB模块无需 TSV（通过硅电极）工艺即可制造。

在现有存储工艺中，要生产128GB模块，必须通过TSV连接两个16Gb DRAM芯片来创建封装。省略这道工序可显著降低制造成本，并将功耗减少约10%。

三星电子已完成32Gb 1b DRAM的质量测试，并一直在为全面量产做准备。现在，三星成立专门工作组，目的就是迅速提升良率，能在市场上具备竞争力。

与此同时，三星电子决定积极扩大1b DRAM的生产。据了解，产能将从今年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张、然后第四季度达到10万张的规模，并计划明年将产能扩大到20万张/月。 

预计三星1b DRAM的主要生产基地将是平泽P2和华城15号线。其中，平泽P2 晶圆厂目前主要以生产第三代10nm级(1z ) 制程DRAM，未来将进行制程技术的升级。