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三星(Samsung) 厂商主页

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

三星存储产品

三星PM1725a系列NVME SSD

采用三星48层TLC V-NAND，有2.5 inch和HHHL两种规格形态，2.5 inch走PCIe Gen3 x 4通道，HHHL形态走PCIe Ge

三星 2018-03-14

三星企业级PM1643系列SSD

采用三星最新64层TLC V-NAND，搭配三星SAS3.0控制器，SAS 12Gbps接口，2.5 inch规格形态。

三星 2018-02-14

三星860系列V-NAND SSD

采用最新512Gb 和256Gb 64层V-NAND，最高4GB LPDDR4缓存以及新的MJX控制器。

三星 2018-01-24

三星PM983系列SSD

采用Phoenix主控，PCIe Gen 3 x4接口，4TB、8TB、16TB三种容量选择。

三星 2017-11-23

三星SZ985系列Z-SSD

HHHL规格形态，PCIe Gen3 x4接口速度，800GB和1TB两种容量选择，适用于服务器领域。

三星 2017-11-20

三星PM981系列SSD

采用Phoenix主控，搭配64层堆叠3D V-NAND，512GB和1TB两种容量选择。

三星 2017-10-25

三星T5系列便携式SSD

采用64层V-NAND颗粒，USB Type-C接口，支持USB 3.1 Gen.2 10Gbps，传输速度540MB/s。

三星 2017-08-16

三星960 PRO系列SSD

三星960 PRO系列SSD是基于最新 V-NAND技术的PCIe Gen3.0x4接口，支持NVMe标准的SSD，形态为M.2 2280。

三星 2016-09-21

三星960 EVO系列SSD

三星960 EVO系列SSD是基于最新 TLC V-NAND技术的PCIe Gen3.0x4接口，支持NVMe标准的SSD，形态为M.2 2280

三星 2016-09-21

Samsung 750 EVO系列

采用三星NAND，三星MGX控制器，容量提供120GB-500GB，读写速度分别达540MB/s、520MB/s。

三星 2015-12-01

Samsung 950 Pro系列

容量提供256GB和512GB，采用三星V-NAND，自家UBX控制芯片，使用PCIe Gen3 .0 x4 接口并支持NVMe 标准。

三星 2015-09-23

Samsung 650系列

提供120GB容量，采用三星32层3D V-NAND，最大读写速度最大540MB/秒、450MB/秒。

三星 2015-07-22

mSATA/M.2 850 EVO系列

采用3D V-NAND，容量提供120GB-1TB，mSATA和M.2设计适用于超薄型个人计算机(PC)产品。

三星 2015-04-01

Samsung 850 EVO系列

采用3D V-NAND，MEX &MGX&MHX控制器，SATA6Gbps传输接口，容量提供120GB-4TB容量，读取540MB/s和写入520MB/

三星 2014-12-09

Samsung 845DC EVO/Pro系列

采用TLC/3D NAND，SATA6Gbps传输，400GB-960GB容量用于数据中心存储，读取530MB/s和写入410MB/s。

三星 2014-08-18

报价中心

厂商快讯

⊙03-12 17:35

群联旗下企业级应用品牌PASCARI博思锐已在电商平台开设店铺，首款上架产品为数据中心级SATA固态硬盘SA53P，搭载国产3D TLC NAND闪存。该产品采用标准2.5英寸外形规格，厚度7mm，拥有1DWPD的耐久等级，顺序读写速度分别可达530MB/s和500MB/s，随机读写性能分别为98K IOPS和39K IOPS，并提供5年有限保修服务。据悉，目前上架的PASCARI SA53P固态硬盘包含480GB/960GB/1920GB/3840GB四种容量版本。

⊙03-10 15:52

据外媒报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日举行成员集会，并于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。目前三星正全力为英伟达下一代AI加速器供应HBM4内存，5月的罢工节点极可能打乱出货节奏，导致良率下降或产出减少。

⊙03-10 14:04

3月10日，SK海力士宣布，已成功开发基于第六代10nm级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品，专为搭载端侧AI的智能手机、平板等移动设备设计。该产品于今年1月CES展会首次亮相，目前已完成全球首个1c工艺LPDDR6开发验证，计划上半年完成量产准备，下半年正式供货。相较于上一代LPDDR5X，其数据处理速度提升33%，功耗降低20%以上，将大幅优化移动设备AI体验与续航表现。

⊙03-09 17:50

群联电子公布2025年第四季合并财报暨2月营收公告。2025年第四季，公司合并营收达新台币227.99亿元（折合人民币约49.52亿元），同比增长81.3%，创单季历史新高；本期净利新台币46.29亿元（折合人民币约10.05亿元），同比增长93.6%。2025年全年，公司合并营收达新台币726.64亿元（折合人民币约157.83亿元），同比增长23.3%；净利新台币87.41亿元（折合人民币约18.99亿元），同比增长9.9%。2026年2月，当月合并营收为新台币121.98亿元（折合人民币约26.49亿元），同比飙升170%；1-2月累计营收为新台币226.5亿元（折合人民币约49.20亿元），同比增长180%，均刷新历史同期新高。

⊙03-06 16:37

长江存储官网日前上线了旗下首款 PCIe 5.0 商用SSD——PC550。据官网介绍，PC550是长江存储专为AI PC打造的PCIe 5.0商用消费级固态硬盘。该硬盘采用X4-9070闪存芯片及四通道方案，相比八通道方案降低了SSD的功耗与发热，满载功耗低于6W，休眠功耗低至3mW，使其更契合笔记本电脑的散热环境，同时提升设备续航能力。PC550 可选512GB、1TB、2TB三个容量版本，顺序读写速度分别可达 10,500MB/s、10,000MB/s，随机读写速度均可达 1300K IOPS（1TB 版本）。

⊙03-06 10:25

南亚科技披露2026年2月业绩，公司合并营收为新台币156.07亿元（折合人民币约33.93亿元），同比暴涨586%，环比增长1.9%，连续四个月创历史新高。从累计看，2026年1-2月，合并营收为新台币309.17亿元（折合人民币约67.21亿元），同比暴涨597%。南亚科目标在2026年实现两位数百份比的年度晶圆出货增长，预计平均销售价格增长将持续并延续至2026年第二季。

⊙03-06 09:59

南亚科技近日首度对外揭露定制化AI内存研发进度，公司开发的 UltraWIO（超宽输入输出介面）架构内存已与多家逻辑IC厂合作，部分产品进入试产阶段，预计下半年将有更多具体成果。该技术通过大幅增加资料通道数以提升AI运算效率，未来将采用3D堆叠与先进封装技术，瞄准AI PC、AI手机等边缘AI装置市场，在标准DRAM之外开辟定制化新战场。

⊙03-05 10:08

近日，华邦电子公布今年1月的财务数据：营收新台币117.78亿元（折合人民币约25.61亿元），同比大涨94.16%；税前净利新台币34.55亿元（折合人民币约7.51亿元），同比暴涨579.2%；归属母公司业主净利新台币27.83亿元（折合人民币约6.05亿元），同比暴涨562.29% ；每股收益新台币0.62元（折合人民币约0.13元），同比暴涨576.92% 。

⊙03-04 10:12

美光近日在业界率先出样单模组256GB的SOCAMM2内存条，为当前全球最大容量的低功耗服务器内存模组。该产品采用全球首个单芯片32Gb LPDDR5x DRAM Die，功耗和占用面积仅为传统RDIMM的三分之一。借助该模组，8通道服务器CPU单颗内存容量可达2TB，能处理更大的上下文窗口，满足复杂AI推理需求。

⊙03-04 09:32

佰维存储披露业绩预告，公司受益于高景气度的存储周期，经初步核算，2026年1月-2月预计实现营业收入40亿元至45亿元，同比增长340.00%至395.00%；实现归属于母公司所有者的净利润15亿元至18亿元，同比增加 921.77%至 1086.13%；预计归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润13.5亿元至16亿元，同比增加836.65%至973.07%。

厂商动态

美光启用首个在印封测设施，美国本土HBM4晶圆厂开建 2026-03-03
德明利：2025年营收同比翻倍，存货金额达70.58亿元 2026-02-28
SK海力士与闪迪正式启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程 2026-02-26
华邦电子：1月营收创历史新高，全年产能已被预定 2026-02-09
慧荣科技：预计Q1环比增长5%~10%，全年持续稳健成长 2026-02-05

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