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  • 2026-06-24 13:30

SK海力士最新消息

SK海力士混合键合技术在HBM3 12层生产过程中的性能和可靠性已取得了良好的结果,因此对该技术充满信心。

SK海力士此次季度业绩创历史新高,季度收入较上在2024年第二季度实现的16.4233万亿韩元超过1万亿韩元以上。营业利润和净利润也大幅超过半导体超级繁荣期的2018年第三季度(营业利润为6.4724万亿韩元,净利润为4.6922万亿韩元)的业绩记录。

SK海力士表示,12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。

半导体行业预测,随着下半年首批采用“CXL2.0”规格的服务器CPU问世,CXL将正式进入商业化阶段。为此,SK海力士正在对96GB(千兆字节)及128GB容量的CXL2.0存储器进行客户验证,并计划在年底实现量产。

为了突出新AiMX在多批次环境中的先进处理能力,SK海力士使用开源LLM Llama 3 70B模型对原型卡进行了演示。演示特别强调了AiMX作为数据中心中高效的注意力加速器的能力。

此次新产品采用的第五代PCIe带宽比现有第四代(Gen4)高一倍,PEB110的数据传输速度达到了32GTs(千兆传输/秒)。由此,PEB110的性能较上一代产品提升一倍,能效提升了30%以上。

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品,希望将大部分产能集中在最新一代HBM上,同时逐步淘汰旧产品。

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器(HBM3E),并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术,在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术,并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。

此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心,其运行速度为8Gbps(每秒8千兆比特),与前一代相比速度提高了11%。另外,能效也提高了9%以上。

SK海力士正在积极开发基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0内存解决方案产品,目标是在今年下半年实现商业化,但并未明确具体量产时间点。

这一增长得益于多种因素,包括内存芯片价格的上涨以及对高性能存储产品如HBM3E以及企业级SSD的强劲需求,这些需求推动了SK海力士产品的出货量增加。

据韩媒etnews报道,SK海力士首席执行官郭鲁正近日表示,由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求,存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势,预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。

SK海力士就美国印第安纳州半导体先进封装工厂的投资,基于美国《芯片和科学法案》(CHIPS and Science Act)将获得最高4.5亿美元的直接补助和最高5亿美元的贷款。与此同时,美国财政部决定为SK海力士提供在美国投资额最高可达25%的税收抵免。

SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps(每秒32千兆字节)的运行速度,其与前一代相比提高了60%以上,根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上,可支持每秒1.5TB(太字节)以上的数据处理,其相当于在1秒内可处理300部全高清(Full-HD)级电影(5GB)。

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