SK海力士(SK Hynix)20日宣布将量产16纳米64Gb MLC NAND Flash。6月SK海力士以16纳米制程生产64Gb MLC NAND一代产品，目前则是同样采用16纳米制程生产，但芯片尺寸缩减，并加强了成本竞争力的二代产品。

SK海力士半导体(中国)有限公司自2005年4月在无锡新区建设以来,已成为国内产能最大的半导体生产企业,投资由20亿美元增至80.55亿美元,12英寸晶圆的生产技术由90纳米提升至29纳米。此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升至10纳

据SK海力士29日发布的消息，第三季度销售额环比增加4%，同比猛增69%，达4.0840万亿韩元(约合人民币234亿元)。营业利润环比增加5%，达1.1640万亿韩元，扭转了去年的负增长局面。

近日SK 海力士宣布在台设立Flash （闪存） 研发中心「台湾爱思开海力士科技有限公司」，以持续提升全球研发能力，为客户提供实时的支持与服务。

因火灾而停产的SK海力士无锡DRAM工厂的部分生产线开始重新启动，因此预计发生火灾以后持续上涨的芯片价格将趋于稳定。SK海力士13日表示，中国无锡芯片工厂的部分设备已开始重新启动。将按照预定计划截至11月结束修复工作。

全球第二大DRAM大厂SK hynix今日宣布，遭祝融侵袭的无锡DRAM厂有望在10月起全面恢复正常运作，而该公司也会增加南韩厂房的DRAM产能来弥补损失的产量。

SK海力士半导体芯片封装项目落户重庆西永微电子园区，已于7月完成注册登记，注册资本1.5亿美元。

韩国半导体厂商SK Hynix 周四（25日）表示，其计划提高主要使用于移动设备的NAND Flash产量，把一芯片生产线转换成只生产NAND型闪存芯片。

全球第二大存储器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季(4-6月)财报：拜DRAM价格持续上扬、产品组合改善之赐，净利达9,460亿韩圆(1.59亿美元)，远优于去年同期的净损533亿韩圆；营收年增49.4%至3.93兆韩圆；营益为1.11兆韩

过去多选择韩国本土企业做为后段制程协力厂商的SK海力士(SK Hynix)，近来决定增加封包的海外协力厂比重。SK海力士在调整封包外包成本和零组件、资材成本后，决定再大规模整顿封包供应链接构。

全球第二大存储器制造商SK hynix Inc. 24日公布第1季(1-3月)财报：拜产品组合改善之赐，净利达1,790亿韩元(1.59亿美元)，远优于去年同期的净损2,710亿韩元；营收年增16.4%至2.78兆韩元；营益为3,170亿韩元，优于去年同期

海力士是全球领先的DRAM芯片厂商，是很多家内存模组厂商的紧密合作伙伴，海力士当前也在积极发展NAND业务，旗下的移动型内存和闪存芯片已经广泛应用于智能手机和平板电脑产品中。

尽管全球经济不景气造成需求不振，主要产品价格又不断下跌，SK海力士(SK Hynix) 主要受惠于移动设备晶片需求强劲，在2012年第4季仍旧成功转亏为盈，唯全年总结依旧维持赤字，无法延续2011年的盈余表现，移动设备晶片需求将持续推动该公司成长。

SK Hynix执行副总裁Kim Joon-ho对投资人表示，在价格较佳的非PC DRAM业务增温之际，PC DRAM价格却仍然因需求疲软而保持下降趋势。他预期，行动DRAM在营收、销售量方面都将是主要的DRAM产品。

SK海力士(SK Hynix)将展开车用半导体晶圆代工事业，也开启韩国国内车用半导体晶圆代工之先河，进攻高附加价值市场，可说是强化系统半导体事业的一部分，也是半导体未来成长的动力来源之一。