据pulse报道，SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂，以应对AI时代激增的芯片需求。若该计划最终落地，将是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。

据韩媒inews24报道，随着美国证券交易委员会 (SEC) 的批准程序和上市准备工作进入最后阶段，SK海力士的股票代码也已最终确定并包含在备案文件中。业内人士透露，SK海力士已决定将其在美国上市的美国存托凭证（ADR）的股票代码定为“SKHY”。据悉，SK海力士今日召开董事会，正式表决通过发行美国存托凭证（ADR）、登陆美国纳斯达克全球精选市场的相关方案。美国存托凭证（ADR）上市日期预计为下月10日。

据韩媒报道，韩国总统政策室室长金容范表示，将在湖南地区建立半导体产业集群的计划即将公布，但这并不意味着将目前正在首尔都市圈（例如龙仁）建设的半导体产业集群迁至湖南地区。考虑到半导体需求的增长，SK海力士已将其龙仁半导体产业集群的竣工日期提前了10年，从原定的2044年提前至2034年。

今日韩股低开低走，韩国创业板指KOSDAQ盘中一度大跌超5%，触发熔断机制，导致程序化交易暂停5分钟。在创业板熔断后不到一小时，由于KOSPI 200期货暴跌超过5%，主板KOSPI指数也触发了熔断机制，程序化交易再次暂停5分钟。截至发稿，三星电子股价跌近6%，SK海力士跌超6%。

据《朝鲜日报》报道，SK海力士正加大力度开拓通用DRAM市场，同时调整第六代高带宽内存（HBM4）的量产步伐。该公司表示，由于HBM已占其营收的40%以上，并占据绝对优势，因此正在重新分配资源，以确保从供应严重短缺的通用DRAM市场获得更多营收，而不是盲目地进行产能扩张。据业内人士23日透露，SK海力士似乎略微推迟了部分原计划升级至HBM4的第五代HBM（HBM3E）生产线的改造。此举旨在提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度，以确保额外收入。此外，市场传闻SK海力士与微软签订的三年期DDR5供应合同也被解读为确保DRAM长期盈利的举措。

SK海力士总市值22日超越三星电子（不包括优先股），成为韩国股市市值最高个股。由此，韩国股市“龙头”地位时隔25年零7个月易主。分析认为，主要是由于SK海力士股价涨幅远高于三星电子。当天，SK海力士股价猛涨5.82%，三星电子涨幅仅为0.71%。今年以来，三星电子股价上升197.7%，SK海力士股价则骤增341.9%。

英特尔公司宣布任命李锡熙（Seok-Hee Lee）为其Intel Foundry执行副总裁，直接向CEO陈立武汇报。李锡熙将负责领导所有先进封装、系统集成、后端技术开发和后端制造，从而增强英特尔为客户提供差异化​​系统级创新解决方案的能力。李锡熙在加入英特尔之前，2023年至2026年曾担任SK On的总裁兼CEO，更早的2018年至2022年间还曾担任SK海力士的总裁兼CEO。随着此次人事变动，英特尔晶圆代工执行副总裁Naga Chandrasekaran将继续向陈立武汇报工作，并领导前端技术开发和前端制造，助力公司加速英特尔18A、英特尔14A及未来技术的量产。他还将继续负责设计赋能以及面向客户和业务的端到端赋能职能，以支持英特尔晶圆代工的增长。

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。