南亚科技日前宣布，将于中国台湾地区屏东科学园区投资设立3D晶圆封装测试厂，将导入硅穿孔 (TSV)、晶圆堆叠等3D IC先进技术，布局晶圆级封装与测试的专业制造整合能力，以满足AI应用快速发展所带动的高效能、高频宽存储需求。

南亚科技2026年9月份自结合并营收为新台币450.91亿元，较上月增加0.9%，较去年同期增加576.62%。累计今年1-9月合并营收为新台币2,652.85亿元，较去年同期增加626.95%。

据报道，南亚科技在美国德州东区联邦地方法院被一家名为PowerWatch Systems LLC的NPE公司所起诉，指控其侵犯原本属于英特尔的两件DRAM专利。起诉书显示，南亚科技DDR3及后代DRAM存储产品侵犯了两项与提升存储总线效率和校准片上终端电路相关的专利：US7,281,079和US7,432,731。原告称告技术涉及高速存储基础技术，解决了DRAM架构中的性能瓶颈。此次南亚科技涉及侵权的包括DRAM内存组件，DDR3、DDR3（L）和DDR4 SDRAM、DIMM以及特定产品系列，如南亚NT5U64m16GG和南亚DDR4-8Gb C-Die。值得注意的是，这两项专利在PowerWatch获得之前均已过期。

据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。

具体来看，

三星二季度DRAM销售收入达591.18亿美元，环比增长54.7%，市场份额为40.2%，稳居第一宝座；

SK海力士二季度DRAM销售收入达384.34亿美元，环比增长37.6%，市场份额为26.1%，排名第二，DRAM价格涨幅被出货比重仍较高的HBM部分抵消，环比增幅低于其他厂商；

美光二季度（2026年3月-5月）DRAM销售收入达313.28亿美元，环比增长66.9%，市场份额21.3%，排名第三；

长鑫存储二季度DRAM销售收入达145.45亿美元，环比增长99%，市场份额已逼近10%，排名第四，主要是由于占据其供应比重主要份额的mobile LP4X/5X价格涨幅领跑其他应用市场，DRAM销售收入环比增幅位列第一；

南亚科技二季度DRAM销售收入为25.99亿美元，环比增长68%，市场份额1.8%；

华邦电子二季度DRAM销售收入为10亿美元，环比增长77.8%，市场份额0.7%。

南亚科技公告2026年8月合并营收新台币446.9亿元，月增1.9％、年增560.9％，再创单月历史新高；1-8月累计营收新台币2,201.94亿元，较去年同期大增638.2％。法人认为，2026年DRAM市况维持正向，价格走势呈逐季向上，预计今年下半年DDR4价格仍有20％以上涨幅。南亚科技第三季毛利率可望续扬，第四季有机会维持与第三季相近水准。此外，AI带动高阶DRAM需求，加上DDR4供给持续收敛，将成为南亚科技下半年营运主要成长动能。

据媒体报道，南亚科技董事会通过多项重大决议，宣布启动5A新厂长期投资计划。2026年至2029年资本支出预算以不超过新台币3,466亿元为上限，将导入1B、1C、1D及1E等10奈米级先进制程与EUV（极紫外光）曝光设备。南亚科表示，5A新厂最大规划产能约为每月45,000片晶圆，整体投资金额预估约160亿美元，将依市场需求分阶段建置。产能规划上，预计新厂2027年下半年开始投片，2028年月投片量达3万片，2029年再提升至35,900片，未来将视市场需求再扩充至完整产能。

南亚科技公告2026年7月营收438.68亿元（新台币，下同），环比增长49.27%，同比大增719.61%。累计1-7月营收为1755.04亿元，同比增长660.87%。

据媒体报道，南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片，有助于提高单位晶圆bit产出。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%达到67.5亿Gb和103.3亿Gb。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。

南亚科技公告2026年6月营收为新台币293.88亿元，同比增长621.34%，环比增长6.21%。今年1-6月累计营收为1,316.36亿元新台币，同比增长643.12%。

南亚科技2026年5月份自结合并营收为新台币276.7亿元，较上月增加8.55%，较去年同期增加730.14%。累计1-5月营收新台币1,022.48亿元，较去年同期增加649.62%。