据媒体报道，南亚科技董事会通过多项重大决议，宣布启动5A新厂长期投资计划。2026年至2029年资本支出预算以不超过新台币3,466亿元为上限，将导入1B、1C、1D及1E等10奈米级先进制程与EUV（极紫外光）曝光设备。南亚科表示，5A新厂最大规划产能约为每月45,000片晶圆，整体投资金额预估约160亿美元，将依市场需求分阶段建置。产能规划上，预计新厂2027年下半年开始投片，2028年月投片量达3万片，2029年再提升至35,900片，未来将视市场需求再扩充至完整产能。

南亚科技公告2026年7月营收438.68亿元（新台币，下同），环比增长49.27%，同比大增719.61%。累计1-7月营收为1755.04亿元，同比增长660.87%。

据媒体报道，南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片，有助于提高单位晶圆bit产出。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%达到67.5亿Gb和103.3亿Gb。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。

南亚科技公告2026年6月营收为新台币293.88亿元，同比增长621.34%，环比增长6.21%。今年1-6月累计营收为1,316.36亿元新台币，同比增长643.12%。

南亚科技2026年5月份自结合并营收为新台币276.7亿元，较上月增加8.55%，较去年同期增加730.14%。累计1-5月营收新台币1,022.48亿元，较去年同期增加649.62%。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。

南亚科技总经理李培瑛今天表示，公司与多家国际AI公司合作，最近有4家客户参与私募，目标都是云端AI应用。由于思科等4家客户认购的南亚科技私募股票要闭锁3年，南亚科承诺供货3年。他指出，目前产能无法满足客户需求，预期DRAM市场供需缺口可能延续到明年底。南亚科技将积极推动新厂建设与资本支出，预计2026年资本支出超过新台币520亿元。新厂预计明年一季度开始装机，下半年进入量产，明年底至后年将贡献产出，预期会增加3万多片，预期2到3年后南亚科技产能将比目前增加80%至100%。

南亚科技4月自结合并营收254.91亿元（新台币，下同），环比增长40.29%，同比增长717.33%，单月首度突破250亿元关卡，并连续6个月创历史新高；累计1-4月合并营收745.78亿元，同比增长623.58%，创同期新高，并已超越2025年度总营收。

展望第二季，南亚科技此前预计DRAM产品平均售价可望高于第一季水准，涨幅将达两位数水准；此外，今年供给无法满足客户需求，预期明年也将有类似情况。

4月13日，南亚科技召开2026第一季度法说会。总经理李培英博士指出，公司第一季DRAM平均售价（ASP）季增超过70%，年增超过2倍。对于近期DRAM现货市场价格出现松动的情况，此次价格回档仅为短期修正，并非产业基本面反转，待库存与价格回归合理区间后，市场将重新聚焦AI驱动的长期需求。李培瑛认为，DRAM Q2的价格将优于Q1，涨幅确定为双位数区间，尽管未来涨幅可能有所收敛，但整体涨势稳健。从供需格局来看，当前DRAM市场供需吃紧的态势预计将延续至2027年。

4月13日，南亚科技公布第一季度财报。2026年第一季度，公司营收490.87亿元新台币（折合人民币约105.44亿元），环比增长63.1%，同比增长582.9%，毛利率67.9%，环比增长18.9个百分点，较去年同期转正；营业利润率61.3%，环比增长22.2个百分点，较去年同期转正；营业净利润301.11亿元（折合人民币约64.68亿元），环比增长155.6%，较去年同期实现扭亏为盈。