SK海力士在新闻稿中披露,其研究团队专注于模拟内存计算(一种将数据存储和计算相结合的架构),并提出了一种基于3D FeNAND的方案,该方案对单元、非单元和页面方案进行了协同优化。该研究成果已发表在IEEE的一篇论文中。据介绍,SK海力士的研究团队发现,3D FeNAND在以更低的功耗精确控制多个电流级别等方面优于传统的3D CTN NAND,是一种非常适合模拟存内计算(A-CiM)的存储架构。3D FeNAND可以一次性存储更多权重并直接用于计算,从而减少了重新加载的需要。这提高了吞吐量,也降低了能耗。在相同的芯片面积限制下,其吞吐量比传统3D阵列高出约10到20倍,能效高出约4000到5000倍。