三星拟于2028年前将High NA EUV用于DRAM量产

存储器 2026-09-08 15:02

三星电子与ASML宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于2028年前首次将ASML高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于DRAM大规模生产。

简讯快报

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