传三星计划2030年实现560层以上NAND方案,随后推进至千层以上

存储器 2026-06-24 15:22

据外媒报道,三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案,到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初,三星计划将层数翻番,实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题,但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction(叠对校正)技术解决相关问题。

简讯快报

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