氧化镓室温本征铁电性获证实

存储器 2026-03-02 12:00

近日,北京邮电大学联合香港理工大学等单位,实验验证了超宽禁带半导体氧化镓的室温本征铁电性,成果发表于《科学进展》。研究团队采用MOCVD技术制备κ-Ga₂O₃薄膜,观测到稳定铁电翻转,器件开关比超10⁵、耐久性逾10⁷次。该发现破解了宽禁带半导体“刚性”结构与铁电“柔性”需求难以兼得的难题,为高功率、非易失性存储集成提供了新材料方案。

简讯快报

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