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原厂NAND供应策略较为摇摆,DRAM结构性分化严重

CFM闪存市场 产业分析 2024-09-30

三季度以来手机终端备货需求走弱,令原厂一大增长引擎熄火,消费类市场面临更严峻的供需挑战。面向手机端,原厂在稳市占的基调下随行就市调整价格,继续将手机、PC超过需求计划的部分产能转产至服务器,调控消费类市场实际的供需水平。在竞争较为缓和的产品中争取更多利润空间,小幅推涨服务器端ASP价格。大方向来看,原厂倾向于稳市场保利润,针对局部竞争激烈的产品,下修缺乏需求支撑的价格,以随行就市守住份额的态度应对。因此,市场结构性涨跌各异,不同产品线走出各自独立的行情。

NAND方面,随着原厂新制程产能释放,NAND整体供应充裕,需求端库存水位也已经逐 步上升,而服务器承载的NAND产能有限,NAND供应增长令NAND ASP正在见顶。由于NAND供应商较DRAM更多,制程品类也更复杂,原厂更难控制NAND市场供应,NAND供应策略摇摆不确定性也更大。另一方面,虽然今年北美服务器市场对QLC SSD需求激增带动部分原厂QLC NAND供应紧张,然而国内市场服务器与mobile QLC导入进展缓慢,缺乏需求支持下,QLC NAND整体降价压力较 TLC NAND更大,部分原厂或将QLC NAND产能调整至TLC NAND,以缓解出货压力。

DRAM方面,结构性分化更严重,DRAM产品涨跌各异。由于部分存储原厂LPDDR4X产能快速攀升补位供应, LPDDR4X供需失衡价格下挫,LPDDR5X价格单点上涨难度加大。部分原厂计划针对性减产旧制程DRAM产品,减少1z DRAM产能供应,加速向1b DRAM等先进制程切换。整体来看,主力原厂将减少DDR4/LPDDR4X产出,提高服务器DDR5及HBM产量。预计至2024年底,三星、SK海力士和美光合计达到30万片的HBM月产能,明年全球HBM市场规模将超过300亿美元,HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。

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股市快讯 更新于: 02-08 23:53,数据存在延时

存储原厂
三星电子53700KRW-0.56%
SK海力士203000KRW-0.25%
铠侠1697JPY-1.16%
美光科技92.300USD-2.37%
西部数据64.460USD-0.03%
南亚科28.80TWD+3.78%
华邦电子14.35TWD-1.03%
主控厂商
群联电子488.5TWD-0.51%
慧荣科技52.800USD-4.98%
联芸科技45.22CNY-0.83%
点序61.3TWD+0.33%
国科微71.03CNY+0.13%
品牌/模组
江波龙87.36CNY-0.50%
希捷科技96.150USD-0.40%
宜鼎国际241.0TWD+6.87%
创见资讯86.9TWD-0.46%
威刚科技76.5TWD-0.91%
世迈科技20.770USD-0.34%
朗科科技19.70CNY+1.70%
佰维存储64.47CNY-1.47%
德明利105.61CNY-1.00%
大为股份18.17CNY+9.99%
封测厂商
华泰电子36.10TWD+4.34%
力成113.5TWD+1.34%
长电科技41.92CNY-0.85%
日月光164.5TWD+2.17%
通富微电30.36CNY+1.50%
华天科技11.74CNY+0.60%