三季度以来手机终端备货需求走弱,令原厂一大增长引擎熄火,消费类市场面临更严峻的供需挑战。面向手机端,原厂在稳市占的基调下随行就市调整价格,继续将手机、PC超过需求计划的部分产能转产至服务器,调控消费类市场实际的供需水平。在竞争较为缓和的产品中争取更多利润空间,小幅推涨服务器端ASP价格。大方向来看,原厂倾向于稳市场保利润,针对局部竞争激烈的产品,下修缺乏需求支撑的价格,以随行就市守住份额的态度应对。因此,市场结构性涨跌各异,不同产品线走出各自独立的行情。
NAND方面,随着原厂新制程产能释放,NAND整体供应充裕,需求端库存水位也已经逐 步上升,而服务器承载的NAND产能有限,NAND供应增长令NAND ASP正在见顶。由于NAND供应商较DRAM更多,制程品类也更复杂,原厂更难控制NAND市场供应,NAND供应策略摇摆不确定性也更大。另一方面,虽然今年北美服务器市场对QLC SSD需求激增带动部分原厂QLC NAND供应紧张,然而国内市场服务器与mobile QLC导入进展缓慢,缺乏需求支持下,QLC NAND整体降价压力较 TLC NAND更大,部分原厂或将QLC NAND产能调整至TLC NAND,以缓解出货压力。
DRAM方面,结构性分化更严重,DRAM产品涨跌各异。由于部分存储原厂LPDDR4X产能快速攀升补位供应, LPDDR4X供需失衡价格下挫,LPDDR5X价格单点上涨难度加大。部分原厂计划针对性减产旧制程DRAM产品,减少1z DRAM产能供应,加速向1b DRAM等先进制程切换。整体来看,主力原厂将减少DDR4/LPDDR4X产出,提高服务器DDR5及HBM产量。预计至2024年底,三星、SK海力士和美光合计达到30万片的HBM月产能,明年全球HBM市场规模将超过300亿美元,HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。
存储原厂 |
三星电子 | 71400 | KRW | +1.13% |
SK海力士 | 251000 | KRW | +2.45% |
铠侠 | 2403 | JPY | +4.25% |
美光科技 | 117.810 | USD | +1.74% |
西部数据 | 76.825 | USD | +2.90% |
闪迪 | 46.450 | USD | +2.09% |
南亚科技 | 45.35 | TWD | -2.37% |
华邦电子 | 18.20 | TWD | -1.09% |
主控厂商 |
群联电子 | 473.0 | TWD | -0.21% |
慧荣科技 | 76.240 | USD | +2.75% |
联芸科技 | 49.29 | CNY | +2.47% |
点序 | 50.5 | TWD | -1.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 96.60 | CNY | +3.86% |
希捷科技 | 159.260 | USD | +3.01% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 97.2 | TWD | -2.61% |
威刚科技 | 96.4 | TWD | +0.94% |
世迈科技 | 24.390 | USD | +3.13% |
朗科科技 | 27.48 | CNY | +2.00% |
佰维存储 | 70.70 | CNY | +5.01% |
德明利 | 98.92 | CNY | +2.40% |
大为股份 | 19.41 | CNY | +2.70% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.95 | TWD | +0.86% |
力成 | 117.0 | TWD | -2.09% |
长电科技 | 38.84 | CNY | +6.18% |
日月光 | 143.5 | TWD | -0.35% |
通富微电 | 30.23 | CNY | +4.71% |
华天科技 | 11.27 | CNY | +4.45% |
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