三季度以来手机终端备货需求走弱,令原厂一大增长引擎熄火,消费类市场面临更严峻的供需挑战。面向手机端,原厂在稳市占的基调下随行就市调整价格,继续将手机、PC超过需求计划的部分产能转产至服务器,调控消费类市场实际的供需水平。在竞争较为缓和的产品中争取更多利润空间,小幅推涨服务器端ASP价格。大方向来看,原厂倾向于稳市场保利润,针对局部竞争激烈的产品,下修缺乏需求支撑的价格,以随行就市守住份额的态度应对。因此,市场结构性涨跌各异,不同产品线走出各自独立的行情。
NAND方面,随着原厂新制程产能释放,NAND整体供应充裕,需求端库存水位也已经逐 步上升,而服务器承载的NAND产能有限,NAND供应增长令NAND ASP正在见顶。由于NAND供应商较DRAM更多,制程品类也更复杂,原厂更难控制NAND市场供应,NAND供应策略摇摆不确定性也更大。另一方面,虽然今年北美服务器市场对QLC SSD需求激增带动部分原厂QLC NAND供应紧张,然而国内市场服务器与mobile QLC导入进展缓慢,缺乏需求支持下,QLC NAND整体降价压力较 TLC NAND更大,部分原厂或将QLC NAND产能调整至TLC NAND,以缓解出货压力。

DRAM方面,结构性分化更严重,DRAM产品涨跌各异。由于部分存储原厂LPDDR4X产能快速攀升补位供应, LPDDR4X供需失衡价格下挫,LPDDR5X价格单点上涨难度加大。部分原厂计划针对性减产旧制程DRAM产品,减少1z DRAM产能供应,加速向1b DRAM等先进制程切换。整体来看,主力原厂将减少DDR4/LPDDR4X产出,提高服务器DDR5及HBM产量。预计至2024年底,三星、SK海力士和美光合计达到30万片的HBM月产能,明年全球HBM市场规模将超过300亿美元,HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。

| 存储原厂 |
| 三星电子 | 100500 | KRW | +1.01% |
| SK海力士 | 558000 | KRW | +7.10% |
| 铠侠 | 10080 | JPY | +7.46% |
| 美光科技 | 230.740 | USD | +3.98% |
| 西部数据 | 144.390 | USD | +15.59% |
| 闪迪 | 203.490 | USD | +15.93% |
| 南亚科技 | 133.0 | TWD | +2.31% |
| 华邦电子 | 54.0 | TWD | 0.00% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1045 | TWD | +1.95% |
| 慧荣科技 | 101.245 | USD | +0.79% |
| 联芸科技 | 61.58 | CNY | -3.66% |
| 点序 | 76.3 | TWD | -2.55% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 272.82 | CNY | +6.04% |
| 希捷科技 | 266.830 | USD | +19.65% |
| 宜鼎国际 | 420.0 | TWD | -0.24% |
| 创见资讯 | 134.5 | TWD | +1.89% |
| 威刚科技 | 189.5 | TWD | -1.04% |
| 世迈科技 | 22.685 | USD | -0.77% |
| 朗科科技 | 32.32 | CNY | -6.51% |
| 佰维存储 | 130.30 | CNY | +4.69% |
| 德明利 | 237.21 | CNY | +2.64% |
| 大为股份 | 26.70 | CNY | -5.12% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 48.00 | TWD | -1.03% |
| 力成 | 182.0 | TWD | +3.12% |
| 长电科技 | 41.80 | CNY | -0.21% |
| 日月光 | 221.0 | TWD | +8.87% |
| 通富微电 | 44.60 | CNY | +1.04% |
| 华天科技 | 12.64 | CNY | +0.64% |
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