三星电子发布超400层的V10 BV-NAND,I/O速度突破4.8Gbps

厂商动态 网络 M 2026-09-01 10:08

V10是三星最新的 3D NAND 闪存,专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。

V10 BV-NAND技术解构

基于三星的3D Bonded-VNAND架构,V10拥有超过400条字线(WL)。

三星电子的三层堆叠 HARC(高纵横比)合并技术实现了拥有400多条字线的V-NAND架构。通过将其与多孔和零虚拟孔技术相结合,在提高制造效率和整体产品质量的同时,V10较上一代产品(V9)实现58%的位密度提升。

晶圆键合技术方面也有重大创新。三星电子开发了一种工艺,分别在两片晶圆上制造单元电路和外围电路,再将它们键合在一起,最大限度地发挥外围器件的性能,并通过电路设计充分利用其增强特性,从而实现高性能和低功耗。

3D Bonded-VNAND不仅在提高存储密度方面发挥着重要作用,在提升I/O性能方面也至关重要。通过实现低温加工缩小外围电路的尺寸,改善晶体管特性,并提高I/O性能。三星专有的Pin-ODT技术增强了SCA(分离命令和地址)操作,使I/O效率提高了75%以上。此外,V10还应用了 DFE(判决反馈均衡器)和 RDCA(读取占空比调整)等技术来减轻高速数据传输过程中可能出现的 ISI(符号间干扰)。基于此,V10的I/O速度超过4.8Gbps,较V9性能提升超过33%,为支持下一代高性能SSD所需的高I/O性能奠定了基础。

三星电子还结合多项低功耗技术,成功将V10功耗降低了25%以上。

从128TB到PCIe Gen7的AI存储底座

V10的技术创新不仅仅在于提升 NAND 本身的性能。其意义在于通过同时提升 AI 基础设施所需的容量、性能和能效,为客户带来切实的价值。

V10架构拥有高位密度,可支持高达128TB的超大容量SSD,其超过4.8Gbps的I/O性能支持新一代 PCIe Gen7 SSD。同时,更高的能效有助于降低大规模 AI 数据中心的功耗和总体拥有成本 (TCO)。

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