三星1d DRAM量产路线曝光:明年Q2设备就位,年底有望启动量产

存储器 网络 M 2026-06-17 15:41

据韩媒报道,三星电子正携手多家合作伙伴,加紧研发用于量产第七代10纳米级(1d)DRAM的设备。业内人士透露,虽然时间表可能会有所调整 ,但量产设备拟于明年第二季度或第三季度推出。

1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM,其线宽约为11至12纳米。线宽越窄,DRAM的性能和能效越好。

虽然业内曾预测三星最早将于今年启动量产1d DRAM,但考虑到相关设备仍在研发,该目标预计难以实现。考虑到设备导入后的调试和实际量产准备所需要的时间,预计三星电子最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。

知情人士表示,1d DRAM是三星内部开发进度较快的工艺项目,预计相关计划将在今年年底进一步明朗。三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。

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