6月12日消息,台中地院宣判,以违反商业机密法等罪将何建廷判刑5年6个月,罚金500万新台币(单位下同);王永铭4年6个月,罚金400万;联电协理戎乐天判刑6年6个月,罚金600万;联电被判处罚金1亿元。
2017年美光控告,曾在美光工作过的三名员工在加入联电时窃走了美光的DRAM制程技术,台中地检署则起诉了相关员工及联电。
针对台中地院6月12日就美光公司控告联电等人窃取商业秘密案作出之有罪判决,联电表示将依法提起上诉,并强调并未违反营业秘密法,将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。
联电表示,本次DRAM制程技术的研发,乃政府单位投审会事先核准之项目,并为联电以自有技术为出发点,由300多位工程师组成的研发团队,其中多数为联电经验丰富的研发人员通力合作,耗时超过2年自主开发DRAM制程,且保留相关研发纪录,期盼经此过程训练的DRAM研发人才与研发结果能根留台湾。
联电强调,联华电子是台湾第一家半导体公司,一向正派经营,尊重知识产权,对台湾半导体产业发展与人才培养贡献良多;联电所有技术均为研发团队自主研发或取得第三人授权。
联电认为,未违反营业秘密法,并将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。在上诉审中,联电将提出本案调查及审理过程中诸多违反刑事诉讼法规定的可议之处,譬如侦讯过程中有不当诱导讯问;对联电有利的陈述未能详实记载于调查笔录中;电磁及其他证据在鉴识上不符规定等。
对此,美光声明也指出,很高兴台中地方法院对联电及其涉案的3名员工做出有罪判决,对法院的合理处置深表感谢,还称公司过去40多年投入数十亿美元持续开发业界领先的先进技术,且在中国台湾持续耕耘制程开发与技术创新,数千名员工共同参与了研发,将持续在全球范围内大力保护知识产权不受侵害。

