GF、Everspin宣布联手利用12nm FinFET工艺打造新一代STT-MRAM

半导体 快科技 Andrew 2020-03-16 17:14

近日,GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一种读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存的非易失性存储,通过自旋电流实现数据写入,具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点。其前景被Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头看好。

然而其容量密度提升有困难,因此短期内不会替代内存和闪存。GlobalFoundries、Everspin在MRAM的研发上合作已久,2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的,单颗容量32MB,2019年的第二代则升级为GF 28nm,单颗容量翻了两番达到128MB。

目前已经进一步升级到12nm,进一步提升了MRAM的容量密度,并继续降低成本,尤其是随着MRAM芯片容量的提高,迫切需要更先进的工艺。

GF 12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本,虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地,尤其适合控制器、微控制器等,比如群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都计划加入eMRAM,从而提升性能、降低延迟、提高QoS。

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