根据统计,IC封测数量持续成长,其中又以覆晶封装和晶圆级封装成长力道最明显,主要系因应低成本、高容量和高效能的系统需求。虽然成长趋势不变,但封测业面临的挑战增加,包括平均单价下滑、材料成本高升等。上述趋势带动高效能IC封装技术如带动铜柱、层迭封装和TSV 3D IC等兴起。其中3D IC趋势正在形成当中,预料将成为后PC时代的主流,掌握3D IC封装技术的业者包括日月光、矽品、力成等,将可领先掌握商机。
根据预测显示,整体IC封装量自2007~2012年的复合成长率为9%,若以封装型态区分,则又以晶圆级封装和QFN成长力道最大,成长率皆达20%。
Prismark则估计,2009年整体IC封装数量为1,440亿颗,预测2014年将成为2,100亿颗,成长率为45%,其中覆晶封装和晶圆级封装占比从2009的11.7%,上升到2014年的15.7%。若单指无线通信IC封装,打线封装比重将自2010年底的80%,下滑到2012年底的30%,覆晶和晶圆级封装同期比重也分别从15%和5%,上升到45%和25%。Prismark认为,在IC要求降低成本和容量增加下,带动覆晶和晶圆级封装需求攀升。
拓朴日前也预估,台湾封测产业第3、4季的产值,将分别达40.2亿美元、44.1亿美元,季增率分别为7.2%、9.6%,若以全年来看,台湾封测产业全年年增率达10.1%,优于全球7.4%水平。
矽品认为,目前IC封测产业面临的挑战有3,包括平均单价随着整体电子产业脚步而下滑,材料成本高升仍是主要的压力,尤其是金和银单价节节高升,其中金价从每盎司400元急涨到1,500美元,成为侵蚀毛利率的主因,以及材料对外商高度依赖,也是一种挑战,日震带来的断链危机就是活生生的例子。
另外,新的挑战来自于新技术如晶圆级植凸块、芯片尺寸封装(CSP)、矽穿孔(TSV)等,推升上游IC晶圆厂也延伸到后段制程,使得IC封测厂和晶圆厂成为既合作又竞争的局面。
此外,当IC体积缩小,却又必须达到高效能、低耗电、低成本等要求,矽品认为,这已带动铜柱、层迭封装和TSV 3D IC兴起。3D IC将是后PC时代主流,现在也已看到台湾多家封测大厂包括日月光、矽品、力成等,均积极部署3D堆栈封装技术,预期2011年为3D IC起飞的元年,2012年起将可以见到明显增温态势。
据指出,未来要达到异质IC封装的水平,将会以多芯片封装(MCP)技术为主,可应用于微机电(MEMS)、影像传感器(CIS)等产品上。另外,包括晶圆级封装等高阶的封装技术,将成为2012年封装业者的获利关键。