未来2年内存位成长将趋缓

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-05-25 16:40
DRAM内存产业今年持续进行制程竞赛,韩系三星领先一个世代,已迈入35nm,其他的业者今年将全力转进4Xnm制程。随着摩尔定律走向极限,迈入20nm制程后,不但设计难度高,且造价高昂的超紫外光微影设备(EUV)更大幅拉高进入次世代制程的门坎,因此预料,未来两年的内存位成长率将会趋缓,可望让供过于求的标准型内存价格回复至合理范围。
回顾过去,2008年全球DRAM厂竞争激烈,制程竞赛自70nm制程后加速,由于能否优先导入先进制程成为各厂获利关键,从早期一个制程技术可以沿用一年甚至两年的周期,转为现今一年横跨两个制程技术,时至今日,各厂仍积极转进40nm甚至30nm制程。虽然每一个制程技术可以较前代技术增加20%-30%产出量,但提升良率的稳定度却日益困难,40nm制程质量问题频传,在在挑战DRAM厂30nm制程后的研发技术能力。
以目前各家技术能力来分析,三星仍稳居各DRAM厂龙头之位,35nm制程至第二季末预估将占三星产能的30%,预计年末将有超过50%DRAM产出皆是采用35nm制程技术;海力士由于38nm制程需同时切入6F2领域,预估今年底贡献产出的比例将非常有限。
日商尔必达(916665)子公司瑞晶(4932)在去年第四季已全数导入45nm制程,38nm制程预计六月量产,年末希望达成总投片产能一半的目标;南科(2408)与华亚科(3474)现阶段致力于拉高42nm的投片比重以及良率稳定度,30nm有机会于年末进行试产。
此外,各家内存厂为了提高获利能力,除了降低标准型内存的投片比例,也将产能转往毛利较高的服务器用内存与行动式内存,改善目前DRAM厂的财务状况。
展望下一世代的制程演进,除了持续改善30nm制程研发进度与良率外,无可避免的亦须面对摩尔定律的瓶颈,迈入20nm制程后,不仅设计难度添增往后生产的不确定性,造价高昂的超紫外光微影设备(EUV)更大幅拉高进入次世代制程的门坎。
目前除了有获利能力的国际DRAM厂能负担价格昂贵的机台外,其余尚在亏损状态的DRAM厂仍在审慎评估中未来市场的需求,所幸20nm制程设计难度及资本支出方面进入障碍颇高,预计在2012年底以前仍会是以30nm制程颗粒为市场主流,有机会让平均落后一到两个世代的台系DRAM厂商有短暂喘息的空间。
未来2年的内存位成长率将会趋缓,可望让供过于求的标准型内存价格产能获得部份纾解,而让价格回复至合理范围。

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