华邦利基型DRAM 下半年转换至46纳米制程

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-02-17 12:52
华邦电子(2344)今年按规画持续提升制程,利基型DRAM预计下半年转换至46纳米制程,58纳米制程的NOR Flash也在下半年量产,Mobile RAM年底前将完成65纳米制程转换;全年资本支出下滑至49.6亿元。
华邦于去年9月购入浸润式曝光机,46纳米制程DRAM于去年11月开始试产,预计今年第三季可进行量产,并将进一步开发45纳米制程;利基型DRAM除了持续深耕一线国际大厂外,包括工业规格用DRAM、车用电子领域都有所著墨。
目前华邦电58纳米制程的NOR Flash正进行试产,预计今年下半年量产。NOR Flash将持续推出新产品,以扩大在消费性电子以及通讯市场产品的完整性。
Mobile RAM方面,预计今年底前完全转换至65纳米,将专注于中低容量,不与国际大厂正面交战,并将开发46纳米Low power DRAM。
华邦电预计今年的资本支出49.6亿元,较去年的73.5亿减少逾30%,主要用途包括2万片DRAM月产能将导入65nm与46nm的制程,以及90nm NOR Flash月产能将增加至1.2万片;法人估华邦电今年折旧降至百亿元以下,较去年的108亿减少,有利提升毛利率。

 

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