2010年X3(3-bit-per-cell)架构的TLC(Triple-Level Cell)芯片大量出货下,对于全球NAND Flash市场造成不小影响,根据市场预测2010年第2季全球NAND Flash产值将较第1季下滑,是从2009年初连续5季大幅成长以来,NAND Flash市场产值规模首度出现缩水,原因就是TLC芯片的大量出笼,导致NAND Flash价格下滑和市场的供过于求。
TLC芯片世代来临对于NAND Flash产业和技术带来很大的变革,NAND Flash技术在最早期的SLC(Single-Level Cell)世代,1个内存储存单元(cell)中可存放1位(bit)的数据,在进入MLC(Multi-Level Cell)世代后,技术架构变成1个内存储存单元可存放到2位,因此MLC芯片的储存容量比SLC多了1倍,显见NAND Flash成本可大幅降低,驱使价格下滑,但效能也是同步递减。
2009年是TLC技术的发展元年,随着NAND Flash大厂的制程演进和良率提升,TLC芯片今年是大量普及的1年,与SLC架构相比较,TLC芯片架构是1个内存储存单元可存放3位,成本又进一步的大幅下降。
但也因为TLC芯片的大量出货,也导致NAND Fash价格不断下跌,又因为TLC芯片只能用在低价的快闪记忆卡和随身碟上,不能用在现在最热门的内嵌式内存和智能型手机上,导致NAND Fash市场开始转变成供过于求。
最新统计显示,2010年第2季NAND Flash市场全球产值下降到41亿美元,较第1季43亿美元减少6.5%,是经过连续5季大幅成长以来,全球NAND Flash市场规模首度缩水,但对于2010年第3季到2011年第4季的NAND Flash市场看法,则预估仍是可重回成长轨道,估计2010年全球NAND Flash市场的产值仍是可达179亿美元之谱。
再者,市场认为下半年TLC芯片的供需会较上半年更为平衡,主要是因为消费性电子产品传统旺季来临后,使用TLC芯片的快闪记忆卡和随身碟的消化量会逐渐成长,预计市场买气的增温有助于消化多余的TLC芯片。
在MLC芯片方面,主要还是看随着智能型手机和平板计算机等应用,以目前供给态势来看,下半年MLC芯片仍是会呈现缺货,而其中苹果(Apple)iPhone的销售状况,更是左右整个NAND Flash市场的关键,以1支iPhone内建32GB的内存来看,对于NAND Flash产能的消化相当可观。
记忆卡厂则认为,目前手机厂和NAND Flash大厂谈定的价格其实相当高,但现货市场价格就是起不来,主要都还是TLC芯片的干扰,未来即使记忆卡和随身碟的买气升温,可消耗NAND Flash产能,但仍无法逆转2010年这种合约热、现货冷的状态。