尔必达拟携手台厂在大陆设新厂 明年进军NAND市场

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-06-07 14:14
全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)社长(土反)本幸雄表示,尔必达身为日本仅存的电脑记忆体晶片制造商,计划在台湾与中国设厂,以符合需求,减少税款支出。
本幸雄指出,尔必达最快将于2012年伙同台湾晶片业者,赴中国设厂,并将寻求中国政府的支持。该公司并预计于今年内确定设厂地点等具体事项,此也将成为约20年来首家将于大陆建新工厂的日本半导体厂。他指出,尔必达还将加速规划台湾子公司瑞晶第二座厂房。
本幸雄表示,该公司目前虽然透过日本广岛工厂及台湾工厂(瑞晶)生产DRAM,惟因DRAM需求持续扩大,造成该公司和三星电子及Hynix之间的竞争持续加剧,故计划兴建新工厂来强化竞争本钱,且设厂地点则除了市场持续扩大的大陆之外不作其他人选。
本幸雄在东京总部指出:「中国在地消费的产品可能必需在中国产制。」本幸雄指出,随着电脑销售反弹,加上行动装置将采用更多晶片,尔必达看好本年度获利与销售将飙高。
据称,今年全球DRAM(动态随机存取记忆体)销售有望激增78%,相对整体半导体产业预估增幅为27%。
本幸雄指出:「高效能DRAM需求节节攀升。iPhone手机配备的DRAM数量明年有望倍增。」尔必达午盘股价下跌2.9%,报1694日圆,反观日股日经指数大跌4%。尔必达今年来股价累涨12%。
本幸雄指出,晶片价格若维持目前的价位,尔必达截至明年3月底止年度营运获利将超过1600亿日圆(折合18亿美元),销售将达7000亿日圆左右,优于分析师预估均值。
鉴于对手争相扩大投资,(土反)本幸雄指出,他不打算提高本年度1150亿日圆资本支出。反观,尔必达将着重由65奈米转入45奈米制程,以扩大产能。
另外,本幸雄也指出,该公司于今年3月收购美国飞索半导体公司(Spansion)NAND型快闪记忆体(Flash Memory)技术资产之后,已于约2个月前透过广岛工厂开始生产试作品,该公司并计划于明年进军NAND Flash市场。

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