劲永:第3季低容量记忆卡价格将反弹

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-06-03 08:11
内存模块厂劲永董事长吕采妮表示,NAND Flash市场在高阶和低阶产品上,走势将分道扬镳,低容量1G和2G的小型记忆卡6月底将步入反弹,但高容量的NAND Flash芯片由于x3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片2010年比重逐渐增高,还要再进一步观察,目前来看,欧洲和美国地区市场需求仍是疲弱,大陆和印度相对稳定,对第3季NAND Flash市场看法则是审慎偏乐观。
吕采妮表示,2010年第2季市场受到欧洲金融风暴的影响,淡季效应相当明显,欧洲和美国等地区的终端需求都相当疲弱,但预计6月营收可逐渐回升,相较之下,大陆和印度在小型记忆卡需求上表现较佳。
吕采妮进一步表示,6月底之后,NAND Flash市场将逐渐进入消费性电子产品的传统旺季,NAND Flash产品在高阶和低阶产品的走势会不太一样,在低容量1G和2G的小型记忆卡上,预计6月底会逐渐步入反弹,但高阶的NAND Flash芯片则会受到TLC芯片出货量增加,因此还需要观察。
展望第3季景气,她表示,第3季是NAND Flash市场的传统旺季,包括各项消费性电子等产品需求可逐渐升温,因此对NAND Flash市场景气看法是审慎中偏向乐观,但仍须要观察英特尔(Intel)25奈米制程量产状况,是否会造成NAND Flash产出增加。
英特尔的25奈米制程量产的时间点目前领先同业三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba),三星的32奈米制程下半年将步入量产,接下来要快马加鞭转进27奈米制程,而英特尔和美光阵营的25奈米制程,预计第4季比重会达60~70%。
吕采妮表示,未来在NAND Flash市场的供给端,有3个趋势需要观察,第1是三星日前宣布巨额的资本支出,其中投入NAND Flash扩产的部分不再少数;第2是东芝的Fab5也要开始动工;第3是上述提到英特尔的25奈米制程将大量产出,这些都是影响NAND Flash供给端的重大变量。
在需求端方面,她则相当看好苹果(Apple)iPad和相关产品的推出所带动的NAND Flash消耗量,尤其是高容量的芯片上,如果iPad或相关产品销售量越好,预计高容量NAND Flash芯片的价格会更稳固。
在DRAM方面,吕采妮看好7月之后终端需求会逐渐浮上台面,会呈现小幅缺货吃紧的状态,其中DDR2有缺货可能,因为大部分台系DRAM厂产能都转到DDR3,此效应会反映在第3季,对DDR3看法则是相对保守。
 

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