Hynix传3年内拟投入9兆韩圆提升记忆体市占率

厂商动态 中国闪存市场 Helan 2010-05-17 10:47
据报导,南韩记忆体制造巨擘Hynix Semiconductor Inc.计划在截至2012年为止的期间内投入9兆韩圆(79.4亿美元),并将2012年营收由今(2010)年的10兆韩圆目标提升20%至12兆韩圆。
Hynix今年资本支出金额将达2.5兆韩圆(高于先前预定的2.3兆韩圆),并于2011年、2012年提升至3兆韩圆、3.5兆韩圆。上述投资将帮助Hynix将全球DRAM、NAND型快闪记忆体市占率在2012年分别提升至25%、20%。
据悉,Hynix考虑将提升专业晶圆代工业务纳入长期成长策略当中,与台积电(2330)一较高下。
三星电子在17日公布史上最高年度资本支出计划;分析人士预估总额最多将达20兆韩圆,主要将投入记忆体与液晶面板。
Hynix新上任的执行长Kwon Oh-chul 4月29表示,今(2010)年营收可望创10年以来新高,主要是拜供给吃紧、需求展望看俏之赐。他指出,目前该公司仅能满足60%客户需求。 Kwon并指出,DRAM供给非常吃紧,主因许多企业在景气衰退时缩减投资、导致现在难以增加产能。

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