利基型DRAM受到产能排挤效应影响,量缺价也涨,业者预估第二季涨价幅度绝对超过10%,并且超越标准型DRAM暂时缓涨走势,可望一路涨到年底;NAND闪存则相对价格走势疲软,但在晶圆厂产能满载排挤效应下,预期下月将严重缺货。
钰创董事长卢超群昨指出,利基型DRAM周期约比标准型DRAM晚3到6个月,标准型内存从去年第四季涨到4月,预估第二季到第三季将会呈现缓涨的休息状态,第四季才会再明显上涨。
卢超群认为,由于标准型内存价格好转,吸引业者纷纷再投入生产,利基型DRAM受到产能排挤效应影响,供应减少,但硬盘、光驱、通信及TV等应用对利基型DRAM需求都增加,带动供给缺货,他估计目前供需缺口约5%到10%,价格可望一路涨到年底,今年对利基型DRAM是非常正面的一年。
NAND闪存则相对疲软,NAND闪存控制IC厂群联(8299)昨举行法说会,受到价跌影响,群联第一季毛利率仅10.06%,比上季的15.55%为低,单季税后盈余4.19亿元,季减42%,每股盈余2.85元。群联预估第二季NAND闪存价格仍持续下滑,第三季在传统旺季带动下,将会明显上升。