今年DRAM(动态随机存取记忆体)前景看俏,主流的DDR3 1Gb颗粒产品持稳在3美元之上,上游DRAM厂获利将超越下游的模组厂,封测厂连带降价压力减轻,预期今年将是各家厂商皆赚钱的一年。
去年此时,DRAM厂面临价格跌落低价之际,各家营收大幅缩水,生产不敷成本,营运也惨赔,以力晶为例,去年3、4月营收皆各仅10亿元多,第一季亏损62.86亿元。全年毛损率44.65%,税后亏损额达207.12亿元,每股亏损2.52元。
今年随着DRAM价格回升,力晶产能恢复顺利,高毛利DDR3产品比例逐月攀升,3月营收已达68亿元多,年增长5.7倍,第一季营收累计年增3.66倍,带动营运数字皆由负转正,第一季自结毛利率达27%,营业净利率22%,税后盈余35.37亿元,每股盈余0.4元。
DRAM价格波动越大,模组厂越有赚价差的获利空间,DRAM价格低,模组厂的成本也便宜。去年多家模组厂都出现高获利,威刚(3260)、创见(2451)每股盈余各达逾10元,赚近一个或超过一个资本额。
威刚今年第一季毛利率8.33%,税后盈余4.56亿元,每股税后盈余为2.04元;创见第一季毛利率9.72%,税后盈余为5.11亿元,每股税后盈余1.21元。相较力晶毛利率达27%、税后盈余35.37亿元,显然DRAM厂由亏转盈,获利超越模组厂,供应链「上游瘦、下游肥」逐渐翻转为「下游肥、上游更油」的走势。
记忆体封测业去年除力成(6239)持续维持高获利之外,受到DRAM减产、价格下跌、被迫降价等因素,各家封测厂包括福懋科(8131)、华东(8110)、泰林(5466)等,仍相继出现亏损或仅小赚局面;今年以来DRAM价格上扬,DDR3稳居3美元,产能又吃紧,封测厂产能利用率纷达高档,封测厂不仅连带降价压力减轻,有的还陆续取消折让价格,相当于调涨,预期今年将是DRAM产业雨露均沾一年,各封测厂可望大发利市。