美系内存大厂美光(Micron)宣布推出2Gb容量的Low-Power DDR2芯片,是瞄准高阶智能型手机市场所设计的产品,届时可将Low-Power DDR1(LPDDR1)的应用需求,正式升级至Low-Power DDR2(LPDDR2),美光预计于2010年第3季正式量产2Gb的LPDDR2芯片。
美光表示,新产品Low-Power DDR2芯片已通过内存设备的抽样检验,这项产品未来是会瞄准高阶的智能型手机和可携式产品而设计导入,特性是电池的寿命更长、加大内存容量,且加速系统运作的速度。
美光进一步解释,这款Low-Power DDR2芯片可单独使用在系统中,也可以结合NAND Flash芯片包裹成现在最热门的多芯片封装(MCP)或层迭封装(POP)解决方案,依照系统的需求来做设计。
再者,手机中内存的产品,随着新产品问世,预计下半年会逐渐由向Low-Power DDR1逐渐转向Low-Power DDR2,这也是ARM系统惯用的移动是内存解决方案,看中ARM在处理器IP及其他关键模块市场的技术领先,未来美光和ARM在Low-Power DDR2产品上也会密切合作,加速手机业者推出新产品的速度。
美光表示,Low-Power DDR2预计会在第3季进入量产出货,届时可为高阶智能型手机的内存解决方案带入另一层次。