三星领先业界生产高效能20奈米等级NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-19 14:16

    三星电子公司(Samsung Electronics Co., Ltd.)宣布领先业界生产用于SD记忆卡、嵌入式记忆体解决方案的20奈米制程NAND型快闪记忆体(NAND Flash)晶片。三星表示依据这项尖端技术所生产的32 Gb MLC NAND将可扩充公司在智慧型手机用记忆卡解决方案领域的产品广度。
    三星表示20奈米制程MLC NAND Flash的生产效率较30奈米MLC NAND高出50%。20奈米制程8GB SD记忆卡的读取效能较30奈米NAND快上30%,速度等级为10(写入速度10MB/秒、读取速度20MB/秒)。
    三星甫于一年前(2009年3月)开始采用30奈米制程生产32Gb NAND Flash。三星现已开始将SD记忆卡样品(采用20奈米制程32Gb NAND)送交给客户评估,预计今年稍后开始生产。

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