拓墣产业研究所预估今年全球半导体产业将展开强劲反弹,产值可达2721亿美元,年增率23.5%,其中又以DRAM产业的成长幅度最为亮眼,预估产值将达326亿美元,年成长率达45.4%。
拓墣产业研究所副所长黄锂表示,DRAM产业自2008年第二季起步入衰退,从2009年第三季营收开始增加,经历过剧烈变化的一年之后,国内DRAM厂今年必须要养精蓄锐,并且积极降低成本,才可以在未来持续保守竞争力。
黄锂指出,今年全球半导体产业成长,是经济景气复苏所带动,不再是只有回补库存的力道,其中在内存的部份,2009年第三季以后,DRAM位出货量增加以及DRAM单价上扬是产值成长主因。
关于供给面的部份,黄锂指出,今年仅有三星、南科(2408)、华亚科(3474)新增产能,而DRAM产量增加来自于制程微缩,供给量有限,因此预期内存产业将可以持续成长至2011年,而今年全球内存产值将达326亿美元,年增率达45.4%。
至于Flash的市况更加乐观,黄锂强调,随着智能型手机、iPad3等平板计算机、SSD等快速成长下,NAND Flash市场成长率将高于NOR Flash,预估今年全球NAND Flash产值将达178.36亿美元,年增率达20%。
黄锂以东芝为例指出,东芝看好NAND Flash未来成长潜力,预计2010年兴建NAND型闪存5厂,量产时程预计为2011年秋天,月产能15万片,希望可以挤下三星电子的龙头地位。