记忆体制造厂华邦电子看好利基型 DRAM 市场供应吃紧情况可望延续至2011 年;NOR Flash 产品 5 月业绩可望创历史新高,明年将挑战序列式快闪记忆体全球龙头地位。
华邦电今天举行媒体座谈会,由执行副总经理温万寿主持,并安排快闪记忆体IC产品中心主管周志隆及绘图记忆体产品处长苏健良简报,说明华邦电利基型动态随机存取记忆体 (DRAM)与编码型快闪记忆体 (NORFlash)等两大事业发展状况。
周志隆表示,NOR Flash中的Serial Flash(序列式快闪记忆体)去年全球总出货量约24亿个单位,预期至2013年可望成长至38亿个单位,占NOR Flash比重也将自去年的15%,窜升至2013年的40%。
由于序列式快闪记忆体成长速度最快,因此华邦电在快闪记忆体产品领域发展着重于序列式快闪记忆体产品市场;华邦电自2006年开始拓展市场后,出货逐年倍增,至去年底共出货达10亿颗。
华邦电序列式快闪记忆体以硬碟、光储存、个人电脑、笔记型电脑、数位电视、网通、光碟机及监视器等应用市场为主;去年全球市占率约19%,仅次于旺宏。
温万寿指出,根据目前接单状况,第2、3季都将供不应求,第 4季时序逐渐步入传统淡季,实际状况仍待观察。周志隆说,目前以个人电脑及笔记型电脑应用产品供给最缺。
在自有产能强力奥援下,华邦电今年总出货量可望挑战10亿颗,全球市占率将跳升至 3成水准,周志隆预期,明年将进一步挑战全球龙头地位。
至于利基型DRAM方面,苏健良表示,在包括硬碟、机上盒、数位电视、光储存、手机及网通等产品市场需求超乎预期,加上DRAM制造厂产能着重于标准型DRAM,致市场供应吃紧可望延续至2011年。