台DRAM技术自主露曙光 网罗奇梦达团队 华邦46奈米有谱

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-09 08:45
内存大厂华邦电在2010年初宣示投入40奈米制程大战后,曾传出加入尔必达(Elpida)45奈米阵营,然近期华邦内部已悄悄网罗一组奇梦达(Qimonda)技术团队,借用埋入式闸极字符线连结(Buried Wordline)技术自行开发46奈米制程,可望成为台湾第1家自己拥有40奈米世代DRAM技术内存大厂,未来华邦在标准型DRAM技术恐将与尔必达渐行渐远。
台系DRAM厂陆续揭示40奈米制程计划蓝图,华邦在2010年初亦对外宣布将建立40奈米制程自有团队,且已先就当前最缺货的浸润式微影机器设备(Immersion Scanner)下订单,充分展现卡位40奈米市场的决心。
原本业界认为华邦与尔必达合作关系,将从绘图卡内存(GDDR)代工,延伸至标准型DRAM 45奈米技术,然近期华邦已悄悄网罗之前合作伙伴奇梦达技术团队,计划凭借既有65奈米技术基础,自行研发奇梦达已开发完成的46奈米Buried Wordline技术,成为台湾第1家在40奈米世代走上技术开发自主之路的DRAM厂。
内存业者表示,奇梦达Buried Wordline技术系当初试图从沟槽式(Trench)技术转型至堆栈式(Stack)技术的代表作,2008年底Buried Wordline技术已成功试产65奈米制程,并完成46奈米产品开发,原计划在2009年中量产,但奇梦达财务状况持续恶化,2009年3月就宣布破产。
内存业者认为,奇梦达Buried Wordline技术其实相当有竞争力,生产出来的晶圆尺寸非常小,若顺利进入量产阶段,成本结构竞争力不输同业,当时连尔必达都被奇梦达该技术所吸引,双方一度想要合作,但奇梦达终究因为财务赤字,而淹没在DRAM大崩盘洪流中。
这次华邦借着过去与奇梦达合作65奈米技术基础,加上延揽奇梦达部分设计团队,以及融合手上奇梦达GDDR专利和技术,自行开发46奈米制程,将走出一条有别于目前台湾DRAM技术阵营除美光(Micron)和尔必达外的第3条路。
事实上,华邦走向自己开发DRAM制程技术之路,主要系因华邦营运重心已逐渐从标准型DRAM转向,专注于SDRAM和NOR Flash,因此,40奈米世代技术对于华邦而言,虽然一定要参与,但没有急迫性,目前SDRAM采65奈米制程生产,直到2010年底都还相当具竞争力,不像南亚科、华亚科、力晶等标准型DRAM厂追求低成本,急着在2010年下半转进40奈米世代,华邦转进40奈米系为SDRAM下世代技术铺路,并不急于导入。
内存业者指出,华邦没有与尔必达合作45奈米制程另一个考虑,系因尔必达在输出技术时会要求以产能交换,但华邦旗下12吋晶圆产能只有3.2万片,2010年下半NOR Flash产能占掉1万片,加上SDRAM和Mobile RAM产能排挤,标准型DRAM产能已降至3,000~4,000片,实在没有产能可与尔必达谈判,因而未能成局。
另外,尔必达过去输出技术除保障产能外,亦会要求技术授权费用,产能越大的DRAM厂,每片晶圆所分摊技术授权费越低,以华邦3.2万片产能来看,就算全部都拿来做DRAM,算下来每片晶圆成本还是很高,与尔必达合作未必占便宜。
DRAM业者认为,原本尔必达在台厂布局中,华邦是继力晶、瑞晶、茂德之后下一个囊中物,但现在华邦走上自有技术开发之路,未来尔必达与既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之间互动,势必会更紧密。尔必达阵营中的力晶和瑞晶,计划于2010年下半导入45奈米制程,美光阵营的南亚科和华亚科则将导入42奈米,如今加上华邦46奈米技术加入战局,DRAM产业40奈米大战热闹可期。
 

 

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